[发明专利]II-VI族化合物半导体多晶的合成方法有效
| 申请号： | 201180016917.5 | 申请日： | 2011-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102859051A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 朝日聪明;野田朗 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C01B19/04;C22C1/02;C30B11/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙秀武;孟慧岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ii vi 化合物 半导体 多晶 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.II-VI族化合物半导体多晶的合成方法，其特征在于，将两种以上原料元素放入到半密闭型pBN制内侧容器内，进而将该内侧容器放入到半密闭型耐热性外侧容器中，并配置在具有加热机构的高压炉内，对所述高压炉内进行排气并用规定压力的惰性气体充满后，利用所述加热机构加热所述外侧容器和内侧容器使其升温，使所述内侧容器内的原料元素熔解、反应后，缓慢降低温度，由此使多晶生长。
2.如权利要求1所述的II-VI族化合物半导体多晶的合成方法，其特征在于，所述外侧容器为石墨制，表面被涂层被覆。
3.如权利要求1或2所述的II-VI族化合物半导体多晶的合成方法，其特征在于，升温前的所述高压炉内的惰性气体的压力为0.5MPa～1MPa。
4.如权利要求3所述的II-VI族化合物半导体多晶的合成方法，其特征在于，所述II-VI族化合物半导体多晶为CdTe多晶，所述升温时的升温速度为100～2000℃/小时。
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