[发明专利]制造半导体单晶的方法

权利要求书

1.一种制造半导体单晶的方法，所述方法包括：

在生长容器(10)的内壁上形成氧化硼膜(31)的步骤，所述生长容器(10)具有底部和与所述底部连续的主体部；

使所述氧化硼膜(31)与含氧化硅的氧化硼熔融液(33)接触以在所述生长容器(10)的内壁上形成含氧化硅的氧化硼膜(32)的步骤；

在所述生长容器(10)的内部和布置在所述底部的晶种(20)上方布置原料熔融液(34)的步骤；以及

从所述晶种(20)侧固化所述原料熔融液(34)以生长半导体单晶的步骤。

2.根据权利要求1所述的制造半导体单晶的方法，其中所述形成含氧化硅的氧化硼膜(32)的步骤包括：

在所述生长容器(10)中布置含氧化硅的氧化硼熔融液(33)的步骤；和

在预定的温度下将所述含氧化硅的氧化硼熔融液(33)与形成在所述生长容器(10)的内壁上的所述氧化硼膜(31)接触的状态保持预定的时间的步骤。

3.根据权利要求1所述的制造半导体单晶的方法，其中，通过加热所述生长容器(10)以熔化布置在所述生长容器(10)中的含氧化硅的氧化硼的固体(23)，将所述含氧化硅的氧化硼熔融液(33)布置在所述生长容器(10)中。

4.根据权利要求3所述的制造半导体单晶的方法，其中包含在所述含氧化硅的氧化硼的固体(23)中的氧化硅是二氧化硅。

5.根据权利要求4所述的制造半导体单晶的方法，其中，在所述含氧化硅的氧化硼的固体(23)中，所述二氧化硅的浓度为1摩尔%以上且12摩尔%以下。

6.根据权利要求1所述的制造半导体单晶的方法，其中所述生长容器(10)由氮化硼、热解氮化硼、热解石墨、石墨、玻璃碳、碳化硅、氧化铝、氧化锆、氮化硅或石英制成。

7.根据权利要求1所述的制造半导体单晶的方法，其中，在形成所述氧化硼膜(31)之前，将所述晶种(20)置于所述生长容器(10)中。

8.根据权利要求1所述的制造半导体单晶的方法，其中，在形成所述含氧化硅的氧化硼膜(32)之前，将所述晶种(20)置于形成有所述氧化硼膜(31)的所述生长容器(10)中。

9.根据权利要求8所述的制造半导体单晶的方法，其中，在所述形成氧化硼膜(31)的步骤中，通过在所述生长容器(10)的内壁上形成含氮化硼的膜，并在氧气气氛下或包含氧气的混合气体气氛下对所述含氮化硼的膜进行热处理，从而在所述生长容器(10)的内壁上形成所述氧化硼膜(31)。

10.根据权利要求9所述的制造半导体单晶的方法，其中通过溅射或气相淀积在所述生长容器(10)的内壁上形成所述含氮化硼的膜。

11.根据权利要求9所述的制造半导体单晶的方法，其中通过在所述生长容器(10)的内壁上喷雾或涂布液体而形成所述含氮化硼的膜，其中所述液体是氮化硼粉末与溶剂的混合物。

12.根据权利要求8所述的制造半导体单晶的方法，其中，在所述形成氧化硼膜(31)的步骤中，通过在所述生长容器(10)的内壁上形成含氧化硼或硼酸的膜，并对所述含氧化硼或硼酸的膜进行热处理，从而在所述生长容器(10)的内壁上形成述氧化硼膜(31)。

13.根据权利要求12所述的制造半导体单晶的方法，其中通过溅射或气相淀积在所述生长容器(10)的内壁上形成所述含氧化硼或硼酸的膜。

14.根据权利要求12所述的制造半导体单晶的方法，其中通过在所述生长容器(10)的内壁上喷雾或涂布液体而形成所述含氧化硼或硼酸的膜，其中所述液体是氧化硼粉末或硼酸粉末与溶剂的混合物。

15.根据权利要求8所述的制造半导体单晶的方法，其中，所述生长容器(10)由氮化硼或热解氮化硼制成，且所述形成氧化硼膜(31)的步骤包括对所述生长容器(10)的内壁进行氧化处理以在所述生长容器(10)的内壁上形成所述氧化硼膜(31)的步骤。

16.根据权利要求1所述的制造半导体单晶的方法，其中，通过熔化固体原料(22)而将所述原料熔融液(34)布置在所述晶种(20)上方，所述固体原料(22)包含构成所述半导体单晶的化合物半导体(22)和掺杂到所述半导体单晶中的掺杂剂(24)。