[发明专利]场致发射阴极

权利要求书

1.一种场致发射阴极，包括：

-至少部分导电的基底结构；和

-空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，

其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。

2.根据权利要求1所述的场致发射阴极，其中，所述纳米结构包括导电的氧化物、硼化物、氮化物、碳化物、金属合金、硅化物中的至少一个的纳米结构。

3.根据权利要求1所述的场致发射阴极，其中，所述纳米结构包括ZnO纳米结构。

4.根据前述权利要求之一所述的场致发射阴极，其中，所述微米级部分具有至少3∶1的纵横比。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的场致发射阴极，其中，所述基底结构包括线。

6.根据权利要求1-4中的任一项所述的场致发射阴极，其中，所述基底结构包括网格和打孔的或实心的薄片中的至少一个。

7.根据前述权利要求之一所述的场致发射阴极，其中，以超过所述多个微米级部分的平均直径的距离来分布所述微米级部分。

8.根据权利要求1-5中的任一项所述的场致发射阴极，其中，所述多个微米级部分的至少一部分具有多边形柱体或圆柱体的形状，并且具有5-500微米之间的直径和长达10毫米的长度。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的场致发射阴极，其中，所述多个微米级部分的至少一部分包括导电或半导电的、透光的或反光的材料。

10.根据前述权利要求中的任一项所述的场致发射阴极，其中，所述多个纳米结构的至少一部分具有多边形柱体或圆柱体的形状，并且具有5-500纳米之间的直径和长达500纳米的长度。

11.一种场致发射装置，所述装置包括：

-阳极结构，和

-真空外壳，所述真空外壳的内部布置有阳极和根据前述权利要求中的任一项所述的场致发射阴极。

12.根据权利要求11所述的场致发射装置，其中，所述阳极结构至少部分地被荧光体层覆盖，并且所述阳极结构包括具有反射涂层的导热材料。

13.根据权利要求11或权利要求12所述的场致发射装置，其中，所述阳极结构用于接收在阳极结构和场致发射阴极之间施加电压时由场致发射阴极发射的电子，并且用于将荧光体层产生的光从真空外壳反射出去。

14.根据权利要求11至权利要求13中的任一项所述的场致发射装置，还包括电源，所述电源被连接到所述场致发射阴极和所述阳极结构之间并用于提供用于对所述场致发射照明装置供电的驱动信号，所述驱动信号具有第一频率，其中，将第一频率选择在与所述场致发射照明装置的共振处的半功率宽度相对应的范围内。

15.根据权利要求11至权利要求14中的任一项所述的场致发射装置，其中，所述场致发射装置包括在场致发射光源、场致发射显示器、X射线源中的至少一个中。