[发明专利]外延硅晶片及其制造方法、以及贴合SOI晶片及其制造方法

权利要求书

1.一种外延硅晶片，是使外延硅层气相生长在单晶硅基板的主表面上而成的外延硅晶片，所述外延硅晶片的特征在于：

前述单晶硅基板的主表面，相对于[100]轴，自(100)面向[011]方向或[0-1-1]方向只倾斜角度θ，并向[01-1]方向或[0-11]方向只倾斜角度φ，前述角度θ及角度φ不足10＇，

前述外延硅层的掺杂剂浓度为1×10¹⁹/cm³以上。

2.如权利要求1所述的外延硅晶片，其中，前述掺杂剂为磷。

3.一种外延硅晶片的制造方法，具有使外延硅层气相生长在单晶硅基板的主表面上的工序，所述外延硅晶片的制造方法的特征在于：

作为前述单晶硅基板，使用主表面相对于[100]轴，自(100)面向[011]方向或[0-1-1]方向只倾斜角度θ，并向[01-1]方向或[0-11]方向只倾斜角度φ，前述角度θ及角度φ不足10＇的单晶硅基板，

使掺杂剂浓度为1×10¹⁹/cm³以上的外延层气相生长在该单晶硅基板的主表面上。

4.如权利要求3所述的外延硅晶片的制造方法，其中，前述掺杂剂为磷。

5.一种贴合SOI晶片的制造方法，贴合结合晶片与基体晶片来制造贴合SOI晶片，所述贴合SOI晶片的制造方法的特征在于：

使用由权利要求3或4所述的方法制造而成的外延硅晶片，作为所述结合晶片及/或所述基体晶片，从而制造贴合SOI晶片。

6.一种贴合SOI晶片，是在基体晶片的上部至少依次形成埋入式氧化膜、SOI层而成的贴合SOI晶片，所述贴合SOI晶片的特征在于：

前述SOI层的掺杂剂浓度为1×10¹⁹/cm³以上，且该SOI层的主表面，相对于[100]轴，自(100)面向[011]方向或[0-1-1]方向只倾斜角度θ，并向[01-1]方向或[0-11]方向只倾斜角度φ，前述角度θ及角度φ不足10＇。

7.如权利要求6所述的贴合SOI晶片，其中，前述基体晶片是使掺杂剂浓度为1×10¹⁹/cm³以上的外延硅层气相生长在单晶硅基板上而成的外延硅晶片，该外延硅晶片的主表面，相对于[100]轴，自(100)面向[011]方向或[0-1-1]方向只倾斜角度θ，并向[01-1]方向或[0-11]方向只倾斜角度φ，前述角度θ及角度φ不足10＇。

8.一种贴合SOI晶片，是在基体晶片的上部至少依次形成埋入式氧化膜、SOI层而成的贴合SOI晶片，所述贴合SOI晶片的特征在于：

前述基体晶片是使掺杂剂浓度为1×10¹⁹/cm³以上的外延硅层气相生长在单晶硅基板上而成的外延硅晶片，该外延硅晶片的主表面，相对于[100]轴，自(100)面向[011]方向或[0-1-1]方向只倾斜角度θ，并向[01-1]方向或[0-11]方向只倾斜角度φ，前述角度θ及角度φ不足10＇。

9.如权利要求6至8中任一项所述的贴合SOI晶片，其中，前述掺杂剂为磷。