[发明专利]处理多层膜的方法

权利要求书

1.一种处理多层膜的方法，所述方法包括：

提供具有基底膜第一表面和基底膜第二表面的基底膜；

提供邻近所述基底膜第二表面的阻挡层，所述阻挡层具有至少一个能让基底膜和阻挡层外表面之间流体连接的开口；

将基底膜第一表面暴露于第一反应物；以及

将所述阻挡层外表面暴露于第二反应物，所述第二反应物与所述第一反应物可反应；

其中，所述将基底膜第一表面暴露于所述第一反应物和将所述阻挡层外表面暴露于第二反应物在所述第一反应物和所述第二反应物之间的反应形成反应层的条件下进行。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应层的形成堵塞所述阻挡层中的开口。

3.根据权利要求1所述的方法，其中阻挡层中的至少一个开口是针孔瑕疵或裂缝。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底膜包括热塑性塑料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层包括零价金属，所述零价金属选自金、银和铝。

6.根据权利要求1所述的方法，其中阻挡层材料选自金属、氮化物、有机材料、无机材料和陶瓷材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述将基底膜第一表面暴露于第一反应物，以及所述将所述阻挡层外表面暴露于第二反应物，同步进行。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述将基底膜第一表面与第一反应物接触，以及所述将阻挡层外表面与第二反应物接触，非同步进行。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一反应物选自水、硫、硒、碲、氧、醇、氨、或非金属的氢化物或硫化物。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二反应物是原硅酸盐。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二反应物选自金属卤化物、金属烷基化合物、金属醇盐、原硅酸盐、金属β-二酮化合物、金属环戊二烯化合物、金属羧酸盐、金属羰基化合物、金属氢化物、金属烷基酰胺或甲硅烷基酰胺、或二元金属化合物、或它们的组合。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底膜是有机膜。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括加入有机金属化合物用于所述第一反应物对基底膜和阻挡层的粘合。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括为第一反应物和第二反应物之间的反应提供最佳温度。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括从选自超声系统、等离子体源和紫外线辐射源的来源为反应提供附加能量。

16.一种在基底膜上形成反应层的方法，所述方法包括：

提供具有第一外表面和第二外表面的基底膜；

将第一外表面暴露于第一反应物；以及

将基底膜的第二外表面暴露于第二反应物，所述第二反应物与所述第一反应物可反应形成反应层；

其中所述基底膜可透过第一反应物，允许所述第一反应物和所述第二反应物在基底膜的第二外表面上反应。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述基底膜包括热塑性塑料。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述方法还包括提供多个邻近基底膜的阻挡层。

19.一种在基底膜上形成反应层的方法，所述方法包括：

提供具有第一外表面和第二外表面的基底膜；

使基底膜浸透第一反应物；以及

将浸透的基底膜的第一外表面或第二外表面暴露于第二反应物，所述第二反应物与所述第一反应物可反应形成反应层。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述方法包括将浸透的基底膜的第一外表面和第二外表面两者暴露于第二反应物，所述第二反应物与所述第一反应物可反应形成反应层。