[发明专利]表面发光的半导体发光二极管

权利要求书

1.一种表面发光的半导体发光二极管LED，包含一上下迭置层序列，该层序列包含： 

一第一导电类型的基板触点（1）层， 

一共享基板（2）， 

一该第一导电类型的第一阻挡层（5）， 

一发光活性层（6）， 

一第二导电类型的第二阻挡层（7）， 

一该第二导电类型的第一接触层（9），该第一接触层（9）中设有多个由载荷子照射而彼此电性绝缘的表面植入区（11），及 

多个用于接触该第一接触层（9）的导电表面触点（10）， 

其特征在于： 

该基板（2）由一半导体基板构成，该基板（2）具有一第一导电类型，或者该基板（2）为一电绝缘型基板（2.1），或者该基板（2）由一金属或一复合材料构成， 

该基板（2）与该第一阻挡层（5）之间设有一该第一导电类型的反射层（4）， 

该第一接触层（9）具有至少一发光表面（13），该活性层（6）所发射的辐射经该发光表面自该半导体发光二极管射出，该第一接触层（9）中受载荷子照射的表面植入区（11）使该等发光表面（13）彼此光电隔离，以及 

多个受载荷子照射第一深植入区（12.1）使得该等层在该发光表面（13）下方自该第一接触层（9）出发至少延伸至贯穿该活性层（6）的区域与该等层不位于该发光表面（13）下方的区域光电隔离。 

2.如申请专利范围第1项所述的半导体发光二极管，其中， 

该第一导电类型及该第二导电类型选自一包括p型及n型掺杂半导体的导电类型的群组，且该第一导电类型不同于该第二导电类型。 

3.如申请专利范围第2项所述的半导体发光二极管，其中， 

该第一阻挡层（5）及该第二阻挡层（7）的带隙皆大于该活性层（6）的带隙。 

4.如申请专利范围第3项所述的半导体发光二极管，其中， 

该第一及第二阻挡层（5，7）、该第一接触层（9）及该活性层（6）的材料选自一包括(Al_xGa_1-x)_1-zIn_zP及Al_xGa_1-xAs群组，其中，0≤x≤1且0≤z≤0.6。 

5.如申请专利范围第4项所述的半导体发光二极管，其中， 

该第一及第二阻挡层（5，7）、该第一接触层（9）及该活性层（6）的材料由Al_xGa_yIn_zN构成，其中，x+y+z=1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.5。 

6.如申请专利范围第4项所述的半导体发光二极管，其中， 

该第一及第二阻挡层（5，7）、该第一接触层（9）及该活性层（6）的材料选用In_yGa_1-yN，其中，0≤y≤0.5，且该基板（2）选自一包括锗、硅及金属合金群组。 

7.如申请专利范围第1项所述的半导体发光二极管，其中， 

该活性层(6)由一非掺杂材料、一p型掺杂材料或一n型掺杂材料构成，且布置于该等发光表面（13）下方，深度不超过4μm。 

8.如申请专利范围第1项所述的半导体发光二极管，其中， 

该活性层（6）实施为量子井或多量子井，且布置于该等发光表面（13）下方，深度不超过4μm。 

9.如申请专利范围第1项所述的半导体发光二极管，其中， 

该基板（2）由一掺杂材料构成，该材料选自一包括Si、GaAs、Ge及金属合金群组。 

10.如申请专利范围第1项所述的半导体发光二极管，其中， 

该基板（2）实施为一电绝缘型基板（2.1）。 

11.如申请专利范围第10项所述的半导体发光二极管，其中， 

该电绝缘型基板（2.1）由一选自一包括蓝宝石、si-AlN、MgAl₂O₄尖晶石、金属氧化物的群组的材料构成，或者由复合材料构成。