[发明专利]白光装置及方法无效
申请号: | 201180017677.0 | 申请日: | 2011-02-03 |
公开(公告)号: | CN103038565A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 弗兰克·蒂恩·楚格·舒姆 | 申请(专利权)人: | 天空公司 |
主分类号: | F21V1/00 | 分类号: | F21V1/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 白光 装置 方法 | ||
1.一种利用基板规模加工制造LED器件的方法,所述方法包括:
提供具有表面区域的基板构件;
在所述表面区域上形成反射面,所述反射面的特征在于反射率至少为85%;
形成空间上设置在所述反射面上的区域阵列;以及
设置多个LED器件,其中所述多个LED器件的分离的LED器件设置在所述区域阵列的相应区域中。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述基板构件包括硅基板。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述反射面包括银或铝材料。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述区域阵列包括N×M阵列,其中N为2以上的整数,M为1以上的整数。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,每个LED器件包括由体块式基板材料形成的镓化氮。
6.根据权利要求1所述的方法,进一步包括利用包括波长转换材料的封装材料对所述多个LED器件中的每一个进行封装。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述波长转换材料包括荧光粉、半导体及发光材料中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述形成反射面的步骤包括在所述表面区域上沉积银材料或铝。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述形成反射面的步骤包括:
在所述表面区域上形成反射金属材料;
在所述金属材料上形成至少一种介质材料;以及
在介质材料上形成多个导电阵列区域。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述形成反射面的步骤包括:
在所述基板的表面区域上形成介质材料;以及
在所述介质材料上形成多个导电反射阵列区域。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述形成反射面的步骤包括:
在所述基板的表面区域上形成介质材料;
在所述介质材料上形成多个导电阵列区域;以及
在介质材料或导电阵列区域的一个部分之上形成电绝缘但光学反射的层。
12.一种发光二极管装置,包括:
具有表面区域的基板构件;
覆盖在所述表面区域之上的反射层,所述反射层具有第一反射率水平;
覆盖在所述反射层之上的隔离层;
设置在所述隔离层上的区域阵列;
设置在相应一个阵列区域上的多个LED器件。
13.根据权利要求12所述的装置,其中,所述区域阵列中的每一个区域包括导电图案。
14.根据权利要求12所述的装置,其中,所述反射层和所述隔离层的组合反射率大于93%。
15.根据权利要求12所述的装置,其中,所述基板的传导率大于40W/(m-K)。
16.根据权利要求12所述的装置,其中,所述隔离层包括SiN材料。
17.一种LED装置,包括:
具有表面区域的基板;
覆盖在所述表面区域之上的反射层,所述反射层的特征在于具有第一反射率水平;
所述反射层上的隔离层;
设置在所述隔离层上的导电区域阵列;
多个LED器件,其中,所述多个LED器件中的分离的LED器件位于所述区域阵列中的各个区域上;以及
覆盖在所述多个LED器件上的罩构件。
18.根据权利要求17所述的装置,进一步包括耦接至所述导电区域阵列的整流电路。
19.根据权利要求18所述的装置,进一步包括电耦接至所述整流电路的电阻器。
20.根据权利要求17所述的装置,其中,所述多个LED器件包括第一LED组以及第二LED组,LED组的每一组包括串联连接的多个LED器件,所述第一LED组和所述第二LED组被构造为彼此并联。
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