[发明专利]转印用施主衬底、器件的制造方法及有机EL元件无效
申请号: | 201180017742.X | 申请日: | 2011-03-28 |
公开(公告)号: | CN102845134A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 谷村宁昭;藤森茂雄;西村诚一郎 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | H05B33/10 | 分类号: | H05B33/10;G09F9/00;G09F9/30;H01L21/336;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/42;H01L51/50 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转印用 施主 衬底 器件 制造 方法 有机 el 元件 | ||
1.一种转印用施主衬底,其特征在于,包括:衬底;形成在所述衬底上的光热转换层;至少一部分形成在所述光热转换层上表面的分区图案,在所述分区图案表面形成有阻挡层。
2.如权利要求1所述的转印用施主衬底,其特征在于,转印层形成在分区图案内。
3.如权利要求1或2所述的转印用施主衬底,其中,阻挡层含有金属、金属氧化物、金属氮化物、氧化硅或氮化硅中的任一种。
4.如权利要求1~3中任一项所述的转印用施主衬底,其中,阻挡层含有金属。
5.如权利要求1~4中任一项所述的转印用施主衬底,其中,在分区图案上的阻挡层表面的至少一部分上形成有疏液处理层。
6.如权利要求5所述的转印用施主衬底,其特征在于,疏液处理层使用含氟硅烷偶联剂进行了处理。
7.如权利要求1~6中任一项所述的转印用施主衬底,其中,转印层由器件构成材料或其前体材料构成。
8.一种器件的制造方法,包括下述工序:
使权利要求1~7中任一项所述的转印用施主衬底与器件衬底对置的工序;及
通过对所述光热转换层照射光,将转印层转印到所述器件衬底上的工序。
9.如权利要求8所述的器件的制造方法,其中,转印层由器件构成材料的前体材料构成,所述制造方法还包括将该前体材料转换为器件构成材料的工序。
10.如权利要求9所述的器件的制造方法,其中,器件构成材料的前体材料是向转印材料导入可溶性基团而得到的。
11.如权利要求8~10中任一项所述的器件的制造方法,其中,器件是有机EL元件。
12.一种有机EL元件,
具有有机化合物层,所述有机化合物层包括被夹持在至少一对电极间的发光层,有机化合物层的至少一部分是使用转印法而制作的,其特征在于,
通过SIMS对使用转印法制作的层进行元素分析所检测的氟强度与碳强度的比为1×10-1以下,或者通过SIMS对使用转印法制作的层进行元素分析所检测的氯强度与碳强度的比为5×10-3以下。
13.如权利要求12所述的有机EL元件,其中,使用转印法制作的层为发光层。
14.如权利要求13所述的有机EL元件,其中,发光层被形成图案,相邻发光层的间隔是大致恒定的。
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