[发明专利]在邻近基板表面处的受控流体混合情况下的微电子基板的湿处理

权利要求书

1.一种处理微电子工件的方法，所述方法包括：

将微电子工件定位于包括第一分配喷嘴和第二分配喷嘴的处理腔室中，所述第一分配喷嘴和所述第二分配喷嘴被构造成独立地将一种或多种处理流体引导至所述微电子工件处；

通过所述第一分配喷嘴将第一处理流体分配至所述处理腔室中；

停止所述第一处理流体通过所述第一分配喷嘴向所述处理腔室中的分配；

对所述第一分配喷嘴施加吸力；以及

在对所述第一分配喷嘴施加吸力之后，通过所述第二分配喷嘴将第二处理流体分配至所述处理腔室中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述微电子工件包括纵横比至少为5:1的零件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一分配喷嘴包括多个孔。

4.根据权利要求3所述的方法，包括将所述第一处理分配至所述微电子工件的中央区域。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一分配喷嘴定位于所述微电子工件上方且延伸跨越所述微电子工件的弦的至少一部分。

6.根据权利要求1所述的方法，包括在从所述第二分配喷嘴分配所述第二处理流体的至少一部分期间保持施加至所述第一分配喷嘴的吸力。

7.根据权利要求1所述的方法，包括至少在停止从所述第二分配喷嘴分配所述第二处理流体之前保持施加至所述第一分配喷嘴的吸力。

8.根据权利要求1所述的方法，包括在对所述第一分配喷嘴施加吸力之后，通过第三分配喷嘴分配第三处理流体。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第三处理流体包括水。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一处理流体与所述第二处理流体以放热方式混合。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一处理流体包括酸，且所述第二处理流体包括与该酸以放热方式混合的流体。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二处理流体包括水，且所述第一处理流体包括与该水以放热方式混合的流体。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一处理流体包括酸，且所述第二处理流体包括水。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述酸包括含水酸。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一处理流体和所述第二处理流体中的任一者或两者均包括一种或多种浓缩酸或稀释酸。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述酸包括硫酸、磷酸、盐酸及其组合中的任一种。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述酸包括硫酸。

18.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一处理流体和所述第二处理流体中的任一者或两者均包括一种或多种浓缩氧化剂或稀释氧化剂。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述氧化剂包括过氧化物、臭氧及其组合中的任一种。

20.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一处理流体和所述第二处理流体中的任一者或两者均包括一种或多种浓缩碱剂或稀释碱剂。

21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述碱剂包括从包括氢氧化物、氨、胺及其组合中的任一种成份中衍生的试剂。

22.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一处理流体和所述第二处理流体中的任一者或两者均包括从包括铵和卤化物的成份中衍生的一种或多种浓缩剂或稀释剂。

23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述卤化物包括氟化物。

24.根据权利要求1所述的方法，包括通过所述第一分配喷嘴分配在分配时处于大于约30℃的温度下的包含硫酸和可选过氧化氢的流体，通过所述第一分配喷嘴分配在分配时处于大于约30℃的温度下的硫酸，之后停止通过所述第一分配喷嘴分配在分配时处于大于约30℃的温度下的硫酸，且随后对所述第一分配喷嘴施加吸力，接着通过所述第二分配喷嘴分配处于小于约30℃的温度下的水。