[发明专利]导电性高分子蚀刻用墨液及导电性高分子的图案化方法

权利要求书

1.一种导电性高分子蚀刻用墨液，其特征在于，包含导电性高分子用蚀刻剂、增稠剂及水系介质。

2.根据权利要求1所述的导电性高分子蚀刻用墨液，其中，

所述导电性高分子用蚀刻剂为选自(NH₄)₂Ce(NO₃)₆、Ce(SO₄)价铬化合物、及次氯酸盐中的化合物。

3.根据权利要求1或2所述的导电性高分子蚀刻用墨液，其中，

所述导电性高分子用蚀刻剂为选自(NH₄)₂Ce(NO₃)₆、Ce(SO₄)₂、(NH₄)₄Ce(SO₄)₄、高锰酸化合物及次氯酸盐中的化合物。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的导电性高分子蚀刻用墨液，其中，

所述增稠剂为选自二氧化硅粒子、氧化铝粒子、二氧化硅粒子与氧化铝粒子的混合物、及表面活性剂中的增稠剂。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的导电性高分子蚀刻用墨液，其中，

所述增稠剂为选自二氧化硅粒子、氧化铝粒子、及二氧化硅粒子与氧化铝粒子的混合物中的增稠剂。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的导电性高分子蚀刻用墨液，其中，

所述增稠剂为表面活性剂。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的导电性高分子蚀刻用墨液，其中，

所述水系介质为水。

8.一种导电性高分子的图案化方法，其特征在于，包括如下工序：

在基材上形成导电性高分子的膜的成膜工序；

对所述膜中的要除去导电性高分子的区域赋予权利要求1～7中任一项所述的导电性高分子蚀刻用墨液的印刷工序；

利用所述导电性高分子蚀刻用墨液对所述除去区域的导电性高分子进行蚀刻的蚀刻工序；以及

从基板上除去残留的导电性高分子蚀刻用墨液及导电性高分子的蚀刻残渣的除去工序。

9.根据权利要求8所述的导电性高分子的图案化方法，其中，

所述导电性高分子为选自聚乙炔类、聚对亚苯基类、聚对亚苯基亚乙烯类、聚亚苯基类、聚亚噻嗯基亚乙烯类、聚芴类、多并苯类、聚苯胺类、聚吡咯类、及聚噻吩类中的导电性高分子。

10.根据权利要求8或9所述的导电性高分子的图案化方法，其中，

所述导电性高分子为聚苯胺类、聚吡咯类或聚噻吩类。

11.根据权利要求7～10中任一项所述的导电性高分子的图案化方法，其中，

所述导电性高分子为聚(3，4-乙烯二氧噻吩)。