[发明专利]RF开关有效

专利信息
申请号: 201180018327.6 申请日: 2011-04-14
公开(公告)号: CN102859888A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 丹尼斯·A·马斯利亚 申请(专利权)人: ACCO半导体公司;丹尼斯·A·马斯利亚
主分类号: H04B1/44 分类号: H04B1/44
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: rf 开关
【权利要求书】:

1.一种制品,包括:

功率放大器;

接收器放大器;

在所述功率放大器和天线端口之间延伸的第一传输线路;

在所述接收器放大器和所述天线端口之间延伸的第二传输线路;

被配置为改变所述第一传输线路的阻抗的第一阀;和

被配置为改变所述第二传输线路的阻抗的第二阀;

所述第一阀和所述第二阀是可控的以使得当一个开启时另一个关闭。

2.根据权利要求1所述的制品,还包括耦合至所述天线端口的天线。

3.根据权利要求1或2所述的制品,还包括被配置为对所述第一阀和所述第二阀进行相反控制的控制逻辑。

4.根据权利要求1、2或3所述的制品,其中所述第一阀包括双栅极半导体设备。

5.根据权利要求1-3或4所述的制品,其中所述第一传输线路包括传输线路分段,并且所述第一阀包括:

在节点处接合至所述第一传输线路并且包括沿所述传输线路的分段布置的第一线路分段的第一线路,

在所述节点处接合至所述第一传输线路并且包括沿所述传输线路的分段部署的第二线路分段的第二线路,和

被配置为将所述第一线路和所述第二线路耦合至接地端或者将所述第一线路和所述第二线路从接地端脱离耦合的开关。

6.根据权利要求5所述的制品,其中所述开关包括双栅极半导体设备。

7.根据权利要求1-5或6所述的制品,其中所述制品在所述功率放大器和所述天线之间不包括用于去除主频率的谐波的滤波器。

8.根据权利要求1-6或7所述的制品,其中所述第一阀具有小于0.5dB的插入损耗。

9.根据权利要求1-7或8所述的制品,其中所述第一阀在所述功率放大器的所述主频率处提供的隔离至少为22dB。

10.一种方法,包括:

通过传送器传输线路从功率放大器向天线传送RF信号,同时阻止耦合在接收器放大器和所述天线之间的接收器传输线路上的所述RF信号;并且随后切换至

通过所述接收器传输线路从所述天线接收RF信号,同时阻止所述传送器传输线路上来自所述功率放大器的RF信号。

11.根据权利要求10所述的方法,其中阻止所述接收器传输线路上的RF信号包括将部署在所述接收器传输线路和接地端之间的阀保持为开启状态。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述阀包括双栅极半导体设备,并且将所述阀保持为开启状态包括控制所述双栅极半导体设备的栅极以使得所述双栅极半导体设备在其源极和漏极之间导通。

13.根据权利要求10、11或12所述的方法,其中阻止所述传送器传输线路上来自所述功率放大器的RF信号包括将部署在所述传送器传输线路和接地端之间的阀保持为开启状态。

14.根据权利要求13所述的方法,其中所述阀包括双栅极半导体设备,并且将所述阀保持为开启状态包括控制所述双栅极半导体设备的栅极以使得所述双栅极半导体设备在其源极和漏极之间导通。

15.根据权利要求10-13或14所述的方法,其中CMOS设备从所述功率放大器通过所述传送器传输线路向所述天线传送RF信号切换至所述接收器放大器通过所述接收器传输线路从所述天线接收RF信号。

16.根据权利要求10-14或15所述的方法,其中阻止所述接收器传输线路上的RF信号在所述功率放大器的主频率处提供至少22dB的隔离。

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