[发明专利]用于形成低湿度介电膜的方法无效
| 申请号： | 201180018408.6 | 申请日： | 2011-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103026464A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | Z·Q·华;L·罗;M·A·埃尔南德斯;Z·曹;K·萨普瑞;A·巴特纳格尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡林岭 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 形成 湿度 介电膜 方法 | ||
1.一种用于在基板上形成金属前介电(PMD)层及金属层的方法，所述方法包含下列步骤：
将所述基板置放于化学气相沉积(CVD)处理腔室中；
在所述CVD处理腔室中，于所述基板上形成第一氧化物层，使用热CVD处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成所述第一氧化物层，所述热CVD处理使用包含臭氧及四乙基正硅酸盐(TEOS)的第一处理气体；
在所述CVD处理腔室中，于所述第一氧化物层上形成第二氧化物层，使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成所述第二氧化物层，所述PECVD处理使用包含氧及TEOS的第二处理气体，其中在形成所述第一氧化物层及所述第二氧化物层期间，所述基板仍保持于所述CVD处理腔室中；
自所述CVD处理腔室移除所述基板；
在阻挡沉积腔室中，于所述第二氧化物层上形成阻挡层；以及
在金属沉积腔室中，于所述阻挡层上形成所述金属层。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一氧化物层具有约或更大的厚度，且所述第二氧化物层具有约或更小的厚度。
3.如权利要求1所述的方法，进一步包含下列步骤：
在自所述CVD处理腔室移除所述基板之后且在形成所述阻挡层之前，将所述基板置放于除气腔室中；
在约400℃或更高的温度及约12托或更小的压力下，将所述基板曝露至除气处理；以及
自所述除气腔室移除所述基板。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述除气处理包含一次或多次循环净化，其中各循环净化包括不使用约0.5托或更小的压力的惰性气流的步骤，及使用约8托或更高的压力的惰性气流的步骤。
5.一种用于在基板上形成金属前介电(PMD)层的方法，所述方法包含下列步骤：
将所述基板置放于化学气相沉积(CVD)处理腔室中；
在所述CVD处理腔室中，于所述基板上形成第一氧化物层，使用热CVD处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成所述第一氧化物层；
在所述CVD处理腔室中，于所述第一氧化物层上形成第二氧化物层，使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成所述第二氧化物层，其中在形成所述第一氧化物层及所述第二氧化物层期间，所述基板仍保持于所述CVD处理腔室中；
此后，自所述CVD处理腔室移除所述基板；以及
在除气腔室中，将所述基板曝露至除气处理，所述除气处理处于约400℃或更高的温度及约12托或更小的压力下。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述第一氧化物层具有约或更大的厚度，且所述第二氧化物层具有约或更小的厚度。
7.如权利要求5所述的方法，其中所述除气处理包含一次或多次循环净化，其中各循环净化包括不使用约0.5托或更小的压力的惰性气流的步骤，及使用约8托或更高的压力的惰性气流的步骤。
8.如权利要求5所述的方法，其中所述热CVD处理使用包含臭氧及TEOS的第一处理气体。
9.如权利要求5所述的方法，其中所述PECVD处理使用包含氧及TEOS的第二处理气体。
10.一种用于在基板上形成金属前介电(PMD)层及金属层的方法，所述方法包含下列步骤：
将所述基板置放于化学气相沉积(CVD)处理腔室中；
在所述CVD处理腔室中，于所述基板上形成第一氧化物层，使用热CVD处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成所述第一氧化物层；
在所述CVD处理腔室中，于所述第一氧化物层上形成第二氧化物层，使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成所述第二氧化物层，其中在形成所述第一氧化物层及所述第二氧化物层期间，所述基板仍保持于所述CVD处理腔室中；
此后，自所述CVD处理腔室移除所述基板；
在除气腔室中，将所述基板曝露至除气处理，所述除气处理处于约400℃或更高的温度及约12托或更小的压力下；
此后，在阻挡沉积腔室中，于所述第二介电层上形成阻挡层；以及
此后，在金属沉积腔室中，于所述阻挡层上形成所述金属层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
