[发明专利]半导体芯片接合用粘接材料、半导体芯片接合用粘接膜、半导体装置的制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体芯片接合用粘接材料，其特征在于，用粘弹性测定装置测得的25℃剪切弹性模量Gr为1×10⁶Pa以上，用流变仪测得的直到软纤料熔点为止的最低复数粘度η^*min为5×10¹Pa·s以下，在140℃的温度、1rad的变形量、1Hz的频率下测得的复数粘度η^*(1Hz)是在140℃的温度、1rad的变形量、10Hz的频率下测得的复数粘度η^*(10Hz)的0.5～4.5倍。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片接合用粘接材料，其特征在于，含有环氧化合物、和具有能够与所述环氧化合物反应的官能团的高分子化合物，所述具有能够与环氧化合物反应的官能团的高分子化合物的重均分子量为5万以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片接合用粘接材料，其特征在于，用于预先将粘接剂层搭载于晶片、半导体芯片或基板的倒装式安装。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，是使用了权利要求1、2或3所述的半导体芯片接合用粘接材料的半导体装置的制造方法，其中，

在权利要求1、2或3所述的半导体芯片接合用粘接材料中添加溶剂，将由此制备而得的粘接剂溶液涂布于晶片，将所述溶剂干燥而成膜。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，将在权利要求1、2或3所述的半导体芯片接合用粘接材料中添加溶剂，将由此制备而得的的粘接剂溶液通过旋涂或丝网印刷涂布于晶片。

6.一种半导体芯片接合用粘接膜，其特征在于，由权利要求1、2或3所述的半导体芯片接合用粘接材料形成。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，是使用了权利要求6所述的半导体芯片接合用粘接膜的半导体装置的制造方法，其中，

将权利要求6所述的半导体芯片接合用粘接膜通过层压供给至晶片或半导体芯片。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，是使用了权利要求6所述的半导体芯片接合用粘接膜的半导体装置的制造方法，其中，

对照半导体芯片的芯片尺寸，将权利要求6所述的半导体芯片接合用粘接膜裁断，供给至其它的半导体芯片或基板。

9.一种半导体装置，其特征在于，是通过权利要求4、5、7或8所述的半导体装置的制造方法而得的半导体装置，其中，

借助粘接剂层将半导体芯片与其它的半导体芯片或基板结合，

形成沿所述半导体芯片的侧壁向上爬的圆角，

所述半导体芯片的侧壁与所述圆角所形成的角度不足70°。