[发明专利]晶体半导体材料的制备

权利要求书

1.制造晶体半导体材料特别是晶体硅的方法，包括以下步骤：

·向气流中供送半导体材料的颗粒和/或半导体材料的前体化合物，其中，所述气流具有足够高的温度，以将半导体材料的颗粒由固态转变成液态和/或气态，和/或以将所述前体化合物热分解，

·从所述气流中冷凝出和/或分离出液态半导体材料，

·将液态半导体材料转变成固态，形成单晶或多晶晶体结构。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，向熔体供送液态半导体材料，从所述熔体中提拉半导体材料的单晶。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述液态半导体材料经历定向凝固。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于，对所述液态半导体材料以连续铸造法进行处理。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于，向设置在加热区域中的熔体供送液态半导体材料，所述熔体通过自身降低和/或通过升高所述加热区域如此冷却：使得在熔体下端，形成半导体材料以单晶结构沿着其进行结晶的凝固前沿。