[发明专利]输入装置及其制造方法

权利要求书

1.一种输入装置，其特征在于，

具备基板，该基板具有：基材；设置在基材表面的输入区域的电极部；在位于所述输入区域的外侧的所述基材表面的非输入区域中与所述电极部电连接的配线部，

所述配线部包括：由Cu构成的配线主体层；形成在所述配线主体层的表面上，且膜厚比所述配线主体层薄的由Cu合金构成的表面保护层。

2.如权利要求1所述的输入装置，其中，

所述表面保护层由CuNi合金形成。

3.如权利要求2所述的输入装置，其中，

CuNi合金中所占的Ni组成比为5wt％～35wt％的范围内。

4.如权利要求3所述的输入装置，其中，

Ni组成比为15wt％～25wt％的范围内。

5.如权利要求1～4中任一项所述的输入装置，其中，

所述配线部的表面由光学透明粘合层覆盖。

6.一种输入装置的制造方法，其特征在于，

该输入装置具备基板，该基板具有：基材；设置在基材表面的输入区域的电极部；在位于所述输入区域的外侧的所述基板表面的非输入区域中与所述电极部电连接的配线部，

所述输入装置的制造方法包括：

在所述非输入区域的基材表面上形成Cu层，且在所述Cu层的表面上形成膜厚比所述Cu层薄的Cu合金层的工序；

形成掩模层的工序，该掩模层用于在Cu合金层的表面上形成所述配线部；

将未由所述掩模层覆盖的Cu合金层及Cu层连续地通过湿式蚀刻除去，从而形成所述配线部的工序，该配线部包括由Cu形成的配线主体层和在所述配线主体层的表面上由Cu合金形成的表面保护层；将所述掩模层除去的工序。

7.如权利要求6所述的输入装置的制造方法，其中，还包括：

在基材表面的整体上形成导电层之后，在所述导电层的表面整体上形成有所述Cu层，进而在所述Cu层的表面整体上形成有Cu合金层的工序；

通过湿式蚀刻在所述非输入区域中来形成包括由Cu构成的所述配线主体层和由Cu合金构成的表面保护层的所述配线部的工序，

将形成在所述输入区域的所述导电层保留成所述电极部的形状，并且将形成在所述非输入区域的所述导电层保留在所述配线部下，并将无需的所述导电层除去的工序。

8.如权利要求6或7所述的输入装置的制造方法，其中，

所述Cu合金层由CuNi合金层形成。

9.如权利要求8所述的输入装置的制造方法，其中，

CuNi合金中所占的Ni组成比为5wt％～35wt％的范围内。

10.如权利要求9所述的输入装置的制造方法，其中，

Ni组成比为15wt％～25wt％的范围内。