[发明专利]改良堆迭缺陷率的非晶碳沉积方法

权利要求书

1.一种在衬底上形成复合非晶碳层以改良堆迭缺陷率的方法，包括下列步骤：

将烃源气体导入含有衬底的处理腔室；

将稀释剂源气体导入所述处理腔室；

将等离子体引发气体导入所述处理腔室；

在所述处理腔室中产生等离子体；

在所述衬底上形成非晶碳初始层，其中所述烃源气体的体积流速对所述稀释剂源气体的体积流速的比例为1：12或更低；以及

在所述非晶碳初始层上形成主体非晶碳层，其中用来形成所述主体非晶碳层的烃源气体的体积流速对稀释剂源气体的体积流速的比例为1：6或更高，以形成所述复合非晶碳层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，就所述非晶碳初始层而言，所述烃源气体的所述体积流速与所述稀释剂源气体的所述体积流速的所述比例介于约1：18与1：14之间。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，就所述主体非晶碳层而言，所述烃源气体的所述体积流速对所述稀释剂源气体的所述体积流速的所述比例介于约1：4与2：1之间。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包括下列步骤：在所述衬底上形成所述非晶碳初始层期间，加热所述衬底至介于约500℃与约650℃之间的温度。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所沉积的所述复合非晶碳层具有可调整的氢含量以及可调整的碳含量，所述可调整的氢含量的范围从约10%的氢至约25%的氢，所述可调整的碳含量的范围从约75%至约90%的碳。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括下列步骤：在所述衬底上形成所述非晶碳初始层期间，加热所述衬底至介于约200℃与约300℃之间的温度。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，就所述非晶碳初始层而言，所述烃源气体的所述体积流速与所述稀释剂源气体的所述体积流速的所述比例介于约1：32与1：18之间。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所沉积的所述复合非晶碳层具有可调整的氢含量以及可调整的碳含量，所述可调整的氢含量的范围从约25%的氢至约50%的氢，所述可调整的碳含量的范围从约50%至约75%的碳。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述稀释剂源气体是氢，且所述烃源气体是丙烯。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烃源气体从由乙炔(C₂H₂)、丙烯(C₃H₆)、丙炔(C₃H₄)、丙烷(C₃H₈)、丁烷(C₄H₁₀)、丁烯(C₄H₈)、丁二烯(C₄H₆)、乙烯乙炔、及上述气体的组合物所组成的群组中选择。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述稀释剂源气体从由氢(H₂)、氨(NH₃)、CO、CO₂及上述气体的组合物所组成的群组中选择。

12.一种形成器件的方法，包括下列步骤：

藉由下列步骤在衬底上形成非晶碳初始层：

提供气体混合物至含有衬底的处理腔室，其中所述气体混合物包括烃源气体、稀释剂源气体以及等离子体引发气体，其中所述烃源气体的体积流速对所述稀释剂源气体的体积流速的比例为1：12或更低；以及

在所述处理腔室中产生等离子体，以分解所述气体混合物中的所述烃源气体，以在所述衬底上形成所述非晶碳初始层；

在所述非晶碳初始层上形成主体非晶碳层，其中烃源气体以及稀释剂源气体被用来形成所述主体非晶碳层，其中所述烃源气体的体积流速对稀释剂源气体的体积流速的比例为1：6或更高，以形成所述复合非晶碳层；

在所述主体非晶碳层及所述非晶碳初始层的至少一个区域中界定图案；以及

使用所述主体非晶碳层及所述非晶碳初始层作为掩模，将所述主体非晶碳层及所述非晶碳初始层的所述至少一个区域中所界定的所述图案转移至所述衬底内。