[发明专利]电路装置的制造方法有效
申请号: | 201180019475.X | 申请日: | 2011-04-28 |
公开(公告)号: | CN102870209A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 齐藤浩一;冈山芳央;柳瀬康行 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 岳雪兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 装置 制造 方法 | ||
1.一种电路装置的制造方法,其特征在于,包括:
准备在一个面上设有元件电极的半导体衬底,和在一个面上设有金属板、在另一个面上设有与上述元件电极对应的衬底电极的布线衬底的工序,以及
将上述金属板薄膜化为布线层的厚度的工序;
该电路装置的制造方法中,
在准备上述布线衬底的工序后、进行上述薄膜化的工序前,具有为使上述元件电极与上述衬底电极连接而施加第1温度地贴合上述半导体衬底和上述布线衬底的第1压接工序;
在上述进行薄膜化的工序后,具有施加比上述第1温度高的第2温度地压接以上述第1温度贴合后的上述半导体衬底和上述布线衬底的第2压接工序。
2.如权利要求1所述的电路装置的制造方法,其特征在于,
上述第1温度在130℃以下。
3.如权利要求1或2所述的电路装置的制造方法,其特征在于,
在上述半导体衬底和上述金属衬底之间存在绝缘树脂层,上述第2温度是上述绝缘树脂层内的树脂的反应速率在95%以上的温度。
4.如权利要求1至3的任意一项所述的电路装置的制造方法,其特征在于,
上述第2温度在170℃以上。
5.如权利要求1至4的任意一项所述的电路装置的制造方法,其特征在于,
在上述第2压接工序时,在与电极形成面相反侧的上述元件电极的面上贴合与被薄膜化了的上述金属板同等厚度的其它金属板。
6.如权利要求1至5的任意一项所述的电路装置的制造方法,其特征在于,
在上述第2压接工序后,还具有将上述被薄膜化后的金属板布线成形而形成布线层的工序。
7.如权利要求1至4的任意一项所述的电路装置的制造方法,其特征在于,
在进行上述第2压接工序时,在与电极形成面相反侧的上述元件电极的面上贴合与被薄膜化后的上述金属板同等厚度的其它金属板,并且,
并行地进行将上述被薄膜化后的金属板布线成形而形成布线层的工序和除去上述其它金属板的工序。
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