[发明专利]化合物半导体发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201180019633.1 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102859725A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 谷本佳美;园田孝德;池田英明 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
1.一种化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括：
在基板（1）上形成由III族氮化物半导体构成且包含发光层（3）的半导体层的步骤；
在所述半导体层的与所述基板（1）相接一侧的相反侧形成导电性薄膜（8）的步骤；
在含氧的环境下对所述导电性薄膜（8）进行一次退火的步骤；
在不含氧的环境下对所述导电性薄膜（8）进行二次退火的步骤；
在进行所述一次退火的步骤与进行所述二次退火的步骤之间，将所述导电性薄膜（8）暴露于大气的步骤。
2.如权利要求1所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述二次退火在氮气环境下进行。
3.如权利要求1所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述二次退火在真空环境下进行。
4.如权利要求1所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述一次退火在600℃以上、700℃以下的温度下进行。
5.如权利要求1所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述二次退火在所述一次退火的温度以下的温度下进行。
6.如权利要求1所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述导电性薄膜（8）由ITO构成。
7.如权利要求1所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述导电性薄膜（8）的膜厚在300nm以上、400nm以下。
8.如权利要求1所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，还包括：形成与所述导电性薄膜（8）导通的第一电极（6）的步骤；在所述基板（1）上或隔着所述发光层（3）在与导电性薄膜形成部相对的一侧的所述半导体层的露出面上形成第二电极（7）的步骤。
9.如权利要求1所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，还包括：在进行所述二次退火之后，还进行三次退火的步骤。
10.如权利要求1所述的化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述导电性薄膜（8）是0.05Ω·cm2以下的接触电阻。
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