[发明专利]具有内部纳米结构和外部微结构的OLED光提取膜有效
申请号: | 201180019708.6 | 申请日: | 2011-04-12 |
公开(公告)号: | CN102844904A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 谢尔盖·拉曼斯基;特里·L·史密斯;张俊颖;莱斯莉·A·托代罗;郝恩才;哈·T·勒;王丁;吕菲;增田祥一 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/22 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾红霞;段斌 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 内部 纳米 结构 外部 微结构 oled 提取 | ||
1.一种光提取膜,具有内部纳米结构和外部微结构,所述光提取膜包括:
大体透明的柔性膜;
低折射率纳米结构化层,所述低折射率纳米结构化层施加到所述大体透明的柔性膜上;
高折射率平面化回填层,所述高折射率平面化回填层施加到所述纳米结构化层上;以及
外部光学微结构,所述外部光学微结构在与所述纳米结构化层相背的一侧上施加到所述大体透明的柔性膜上。
2.根据权利要求1所述的光提取膜,其中所述外部光学微结构包括一维微结构。
3.根据权利要求1所述的光提取膜,其中所述外部光学微结构包括二维微结构。
4.根据权利要求1所述的光提取膜,其中纳米结构化层包括一维纳米结构,且所述外部光学微结构包括与所述一维纳米结构正交的一维微结构。
5.根据权利要求4所述的光提取膜,其中所述一维纳米结构和所述一维微结构各自为直线结构。
6.根据权利要求1所述的光提取膜,其中所述低折射率纳米结构化层包括纳米粒子,所述纳米粒子以表面层方式施加到所述大体透明的柔性膜上。
7.根据权利要求1所述的光提取膜,其中所述低折射率纳米结构化层包括光子晶体结构或直线光栅。
8.根据权利要求1所述的光提取膜,还包括保护层,所述保护层施加到所述回填层上。
9.根据权利要求1所述的光提取膜,其中所述外部光学微结构包括微透镜阵列。
10.根据权利要求1所述的光提取膜,其中所述外部光学微结构包括曲线边锥结构。
11.一种用于制备具有内部纳米结构和外部微结构的光提取膜的方法,所述方法包括:
提供大体透明的柔性膜;
将低折射率纳米结构化层施加到所述大体透明的柔性膜上;
将高折射率平面化回填层施加到所述纳米结构化层上;以及
在与所述纳米结构化层相背的一侧上将外部光学微结构施加到所述大体透明的柔性膜上。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述外部光学微结构包括一维微结构。
13.根据权利要求11所述的方法,其中所述外部光学微结构包括二维微结构。
14.根据权利要求11所述的方法,其中纳米结构化层包括一维纳米结构,且所述外部光学微结构包括与所述一维纳米结构正交的一维微结构。
15.根据权利要求11所述的方法,还包括将保护层施加到所述回填层的上。
16.根据权利要求11所述的方法,其中所述纳米结构化层和所述外部光学微结构包含在两个层合在一起的膜内。
17.根据权利要求11所述的方法,其中所述纳米结构化层和所述外部光学微结构使用顺次微复制工艺形成。
18.根据权利要求11所述的方法,其中所述纳米结构化层和所述外部光学微结构使用两个结构化和同步化工具在单个微复制工艺中形成。
19.根据权利要求11所述的方法,其中所述纳米结构化层和所述外部光学微结构使用挤出工艺形成。
20.根据权利要求11所述的方法,其中所述纳米结构化层和所述外部光学微结构各自使用激光烧蚀工艺形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择