[发明专利]有机卤代硅烷的制备无效

专利信息
申请号: 201180019825.2 申请日: 2011-04-06
公开(公告)号: CN102858785A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 阿斯维尼·K·达什;查尔斯·艾伦·霍尔;D·卡佐利斯;罗伯特·托马斯·拉森;马修·J·麦克劳克林;J·D·瓦恩兰 申请(专利权)人: 道康宁公司
主分类号: C07F7/12 分类号: C07F7/12
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 武晶晶;郑霞
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 有机 硅烷 制备
【权利要求书】:

1.一种制备有机卤代硅烷的工艺,所述工艺包括:

在从200至800℃的温度下,在足以有效地使具有式HaSiX4-a(I)的卤代硅烷的卤素基团中的一个或多个能够被来自具有式RX(II)的有机卤化物的R基团取代的量的催化剂的存在下,使氢、所述卤代硅烷和所述有机卤化物结合,以形成有机卤代硅烷和卤化氢,其中R是C1-C10烷基或C4-C10环烷基,每个X独立地是卤素,且下标a是0、1或2,其中氢与卤代硅烷的体积比率是从1∶3至1∶0.001,且氢与有机卤化物的体积比率是从1∶10至1∶0.001,且其中在所述结合之前任选地将所述催化剂用所述氢或所述卤代硅烷处理。

2.如权利要求1所述的工艺,其中所述有机卤代硅烷具有式RbHcSiX4-b-c,其中下标b是1、2或3,下标c是0、1或2,且b+c是0、1、2或3。

3.如权利要求2所述的工艺,其中下标b是1或2,且下标c是0。

4.如权利要求1所述的工艺,其中R是甲基,X是氯代,且a是0。

5.如权利要求1-4中任一项所述的工艺,还包括回收所述有机卤代硅烷。

6.如权利要求1-5中任一项所述的工艺,其中所述温度是从350至550℃。

7.如权利要求1-6中任一项所述的工艺,其中有效地使所述有机卤化物的R基团能够与所述卤代硅烷的卤素基团交换的所述催化剂是选自铁、钌、锇、钴、镍、钯、铂、铜和金中的至少一种金属。

8.如权利要求7所述的工艺,其中所述催化剂是负载型催化剂,且其中载体是活性炭。

9.如权利要求1-6中任一项所述的工艺,其中有效地使所述有机卤化物的R基团能够与所述卤代硅烷的卤素基团交换的所述催化剂是选自钯和铜、钯和金、钯和钴、钯和镍、铜和镍、铜和钴、铜和金以及镍和钴中的至少两种金属。

10.如权利要求9所述的工艺,其中所述催化剂是负载型催化剂,且其中载体是活性炭。

11.如权利要求1所述的工艺,其中氢与卤代硅烷的比率是从1∶0.8至1∶0.004,且氢与有机卤化物的比率是从1∶1至1∶0.01。

12.如权利要求1所述的工艺,其中所述工艺是连续工艺,且其中所述氢、所述卤代硅烷以及有机卤化物具有在0.1和100秒钟之间的接触时间。

13.如权利要求1所述的工艺,其中所述R是甲基,X是氯代,a是0,所述催化剂是沉积在钯黑上的铜,且所述有机卤代硅烷具有式RbHcSiX4-b-c,其中下标b是2,且下标c是0。

14.如权利要求1所述的工艺,其中R是甲基,X是氯代,a是0,所述催化剂是钯和铜,所述催化剂在活性炭载体上,且所述有机卤代硅烷具有式RbHcSiX4-b-c,其中下标b是1,且下标c是0。

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