[发明专利]碳化硅薄膜的成膜方法

权利要求书

1.一种成膜方法，在真空状态下独立地控制对靶材的溅射和等离子中的暴露，同时在移动中的基板上形成碳化硅的薄膜，该成膜方法的特征在于，

在惰性气体的气体氛围下，分别对材质不同的多个靶材进行溅射，在基板上形成含有硅和碳的中间薄膜，

然后将所述中间薄膜暴露于等离子中，使该中间薄膜变换为超薄膜，之后，对于该超薄膜反复进行所述中间薄膜的形成和向所述超薄膜的膜变换，其中所述等离子是在惰性气体和氢的混合气体的气体氛围下产生的。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

该成膜方法使用成膜装置在移动中的基板上形成碳化硅的薄膜，该成膜装置构成为在单一的真空容器内将反应工序区域和多个成膜工序区域各自在空间上分离配置，从而能够独立地控制各区域的处理，

在惰性气体的气体氛围下，分别在各成膜工序区域对所述多个靶材中的任一个进行溅射，从而在基板上形成含有硅和碳的中间薄膜，

然后在所述反应工序区域，使所述中间薄膜暴露于等离子中，使该中间薄膜变换为超薄膜，之后对于该超薄膜反复进行所述中间薄膜的形成和向所述超薄膜的膜变换，其中所述等离子是在惰性气体和氢的混合气体的气体氛围下产生的。

3.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述混合气体以3～20％的浓度含有氢。

4.如权利要求1～3中任一项所述的成膜方法，其特征在于，

使用从硅靶材、碳靶材、以及碳化硅靶材中选择的两种靶材。

5.如权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

在使用硅靶材和碳靶材的情况下，以对所述硅靶材进行溅射的功率密度5倍左右的功率密度，对所述碳靶材进行溅射。

6.如权利要求5所述的成膜方法，其特征在于，

以1.7W/cm²左右的功率密度对所述硅靶材进行溅射。

7.如权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

在使用硅靶材和碳化硅靶材的情况下，以对所述硅靶材进行溅射的功率密度2.5倍左右的功率密度对所述碳化硅靶材进行溅射。

8.如权利要求7所述的成膜方法，其特征在于，

以3.5W/cm²左右的功率密度对所述硅靶材进行溅射。

9.如权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

在使用碳靶材和碳化硅靶材的情况下，以对所述碳靶材进行溅射的功率密度0.8倍左右的功率密度对所述碳化硅靶材进行溅射。

10.如权利要求9所述的成膜方法，其特征在于，

以14W/cm²左右的功率密度对所述碳靶材进行溅射。

11.一种光学基板，该光学基板在基板上具有碳化硅的薄膜，所述碳化硅的薄膜是通过权利要求1～10中的任一种方法在基板上形成的，在波长650nm～700nm下的透过率是70％以上，薄膜侧的维氏硬度HV为1300以上。