[发明专利]具有低噪声系数和电压可变增益的功率放大器

权利要求书

1.一种具有低噪声系数和可变增益的集成放大器，包括共源共基放大级，所述共源共基放大级包括串联连接的：

-低电压MOSFET晶体管，被安装为公共源极，其后是：

-双极型晶体管，具有为所述MOSFET晶体管的电压的至少两倍的高击穿电压，所述双极型晶体管被安装为公共基极，

-电阻器，置于所述双极型晶体管的集电极与所述共源共基级的MOSFET晶体管的栅极之间，并且

-所述共源共基级通过扼流圈来供电。

2.如权利要求1所述的放大器，进一步包括接口电路，用于根据将要获得的增益来控制所述双极型晶体管的基极电压。

3.如权利要求2所述的放大器，其中所述接口电路可进一步包括与电容器组合的电阻器，以便过滤传送至所述放大器的外部噪声。

4.如权利要求1至3之一所述的放大器，进一步包括至少一个用于数字地控制所述放大器的数模转换器。

5.如权利要求1所述的放大器，进一步包括在所述共源共基级的输出处的至少一个可切换衰减器。

6.如权利要求1至5之一所述的放大器，进一步包括在所述共源共基级的输入处的至少一个可切换衰减器。

7.如权利要求5和6之一所述的放大器，其中在所述可切换衰减器的命令电路的输入处施加的电源电压具有与所述共源共基级的电源电压相同的数量级，低于所述共源共基级的所述电源电压的电压被施加于所述可切换衰减器的MOSFET晶体管的源极和漏极处。