[发明专利]用于控制温度且使得能够对半导体芯片进行测试的电路

权利要求书

1.一种用于控制半导体芯片的温度的电路，所述电路包括：

第一加热元件，其建置到所述半导体芯片内，其产生热以增加所述半导体芯片的所述温度；以及

温度控制器，其耦合到所述第一加热元件且建置到所述半导体芯片内，其控制所述温度以使得能够在所需的温度下对所述半导体芯片进行测试。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述温度控制器包括：

温度传感器，其测量所述半导体芯片的所述温度以提供与所述温度相对应的电压；

参考信号产生器，其响应于数字输入而提供参考电压；以及

控制电路，其耦合到所述温度传感器和所述参考信号产生器，如果与所述温度相对应的所述电压大于所述参考电压，那么所述控制电路停用所述第一加热元件。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述温度传感器包括：

第一晶体管，其感测所述温度；

第二晶体管，其具有连接到所述第一晶体管的基极的基极，其结合所述第一晶体管而感测所述温度；

第三晶体管，其耦合到电力供应器且具有耦合到所述第一晶体管的集电极的漏极；

第四晶体管，其耦合到所述电力供应器且具有耦合到所述第三晶体管的栅极的栅极；

第一电阻器，其与所述第一晶体管串联连接；

第二电阻器，其与所述第四晶体管串联连接，其结合所述第四晶体管提供与所述温度相对应的所述电压；以及

第五晶体管，其耦合到所述电力供应器且具有耦合到所述第三晶体管的所述栅极和所述第四晶体管的所述栅极的栅极，所述第三晶体管和所述第五晶体管将从所述电力供应器流出的电流划分为第一电流和第二电流，所述第一电流流经所述第三晶体管、所述第一晶体管和所述第一电阻器，且所述第二电流流经所述第五晶体管和所述第二晶体管。

4.根据权利要求3所述的电路，其中

所述第一晶体管和所述第二晶体管为负型双极结晶体管；且

所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管为正金属氧化物半导体PMOS型晶体管。

5.根据权利要求2所述的电路，其中所述参考信号产生器包括：

频带间隙参考电路，其提供预定义的参考电压；

多个电阻器，其相互串联连接以将所述预定义的参考电压划分为一个或一个以上电压，所述多个电阻器中的第一电阻器耦合到所述频带间隙参考电路且所述多个电阻器中的第二电阻器耦合到接地供应器；

多个开关，其耦合在所述多个电阻器之间，其选择所述一个或一个以上电压中的一个电压作为所述参考电压；以及

数字解码器，其耦合到所述多个开关且响应于所述数字输入而选择所述多个开关中的一个开关。

6.根据权利要求2所述的电路，其中所述控制电路包括：

比较器，其耦合到所述温度传感器和所述参考信号产生器，其将所述电压与所述参考电压进行比较以产生比较器输出；以及

第一缓冲器，其耦合在所述比较器与所述第一加热元件之间，其响应于所述比较器输出而执行启动所述第一加热元件和停用所述第一加热元件中的一者。

7.根据权利要求6所述的电路，其中所述比较器包括施密特触发器。

8.根据权利要求6所述的电路，其中所述控制电路进一步包括耦合在所述比较器与所述第一缓冲器之间的第一栅极，当所述半导体芯片处于非测试模式时，所述第一栅极和所述第一缓冲器停用所述第一加热元件。

9.根据权利要求8所述的电路，且其进一步包括建置到所述半导体芯片内的第二加热元件，所述第二加热元件产生热以增加所述半导体芯片的所述温度。

10.根据权利要求9所述的电路，其中所述控制电路进一步包括：

第二缓冲器，其耦合在所述比较器与所述第二加热元件之间，其响应于所述比较器输出而执行启动所述第二加热元件和停用所述第二加热元件中的一者；以及

第二栅极，其耦合在所述比较器与所述第二缓冲器之间，当所述半导体芯片处于所述非测试模式时，所述第二栅极和所述第二缓冲器停用所述第二加热元件。

11.根据权利要求9所述的电路，其中所述第一加热元件和所述第二加热元件为负金属氧化物半导体NMOS型晶体管、正金属氧化物半导体PMOS型晶体管和电阻器中的一者。