[发明专利]光敏固态异质结装置无效
申请号: | 201180020597.0 | 申请日: | 2011-03-11 |
公开(公告)号: | CN103119673A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 亨利·史耐德;帕布鲁·多刚波 | 申请(专利权)人: | 牛津大学技术转移公司 |
主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20;H01L51/42 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 经志强;王莹 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光敏 固态 异质结 装置 | ||
1.一种固态p-n异质结,其包括与n型材料接触的有机p型材料,其特征在于,所述装置包括通过至少一种绝缘材料的多孔阻挡层与所述n型材料分离的阴极。
2.如权利要求1所述的固态p-n异质结,其特征在于,所述异质结通过至少一种敏化剂被敏化。
3.如权利要求1或2所述的固态p-n异质结,其特征在于,所述n型材料和所述阴极在其最近点处、以不小于1nm的距离、由所述阻挡层隔开。
4.如权利要求1至3中任一项所述的固态p-n异质结,其特征在于,在所述n型材料和所述阴极之间的实质上所有的重叠区域之上,所述n型材料和所述阴极由至少一种绝缘材料的多孔阻挡层隔开。
5.如权利要求1至4中任一项所述的固态p-n异质结,其特征在于,其含有采用有机半导体形式的固态p型材料(空穴传输物),优选为分子、低聚物或聚合物空穴传输物。
6.如权利要求1至5中任一项所述的固态p-n异质结,其特征在于,所述绝缘阻挡层含有至少一种绝缘金属氧化物。
7.如权利要求6所述的固态p-n异质结,其特征在于,所述绝缘金属氧化物选自Al2O3、SiO2、ZrO、MgO、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、Nd2O3、Sm2O3、La2O3、Sc2O3、Y2O3、NiO、MoO3、MnO、SiAlO3、5、Si2AlO5、5、SiTiO4、AlTiO5及其混合物。
8.如权利要求1至7中任一项所述的固态p-n异质结,其特征在于,所述绝缘阻挡层含有至少一种绝缘聚合物和/或嵌段共聚物。
9.如权利要求8所述的固态p-n异质结,其特征在于,所述绝缘聚合物选自聚-苯乙烯、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸甲酯、环氧乙烷、乙二醇、纤维素、酰亚胺聚合物及其混合物。
10.如权利要求8或9所述的固态p-n异质结,其特征在于,所述绝缘嵌段共聚物选自聚异戊二烯嵌段聚苯乙烯、聚乙二醇嵌段聚丙二醇嵌段聚乙二醇、聚苯乙烯嵌段聚交酯、聚苯乙烯嵌段聚环氧乙烷及其混合物。
11.如权利要求1至10中任一项所述的固态p-n异质结,其特征在于,所述绝缘阻挡层具有1至1000nm的厚度。
12.如权利要求1至11中任一项所述的固态p-n异质结,其特征在于,所述绝缘阻挡层具有10至90%的孔隙率。
13.如权利要求1至12中任一项所述的固态p-n异质结,其特征在于,所述绝缘阻挡层由具有大于109Ωcm的电阻率的材料构成。
14.如权利要求1至13中任一项所述的固态p-n异质结,其特征在于,所述敏化剂含有至少一种染料,所述至少一种染料选自钌络合物染料、金属酞菁络合物染料、金属卟啉络合物染料、斯夸苷染料、噻吩基染料、氟基染料、聚合物染料及其混合物。
15.如权利要求1至14中任一项所述的固态p-n异质结,其特征在于,所述p型材料为有机空穴传输物,优选为分子有机空穴传输物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于牛津大学技术转移公司,未经牛津大学技术转移公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180020597.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。