[发明专利]具有倾斜边缘的晶片载体

权利要求书

1. 晶片载体，包括主体，所述主体限定中心轴、垂直于所述中心轴且基本为平面的顶面、低于所述顶面凹陷以容纳晶片的容纳部，所述主体包括沿所述顶面的外周向上突起的唇部，所述唇部限定唇表面，所述唇表面从所述平顶面以远离所述中心轴径向向外的方向向上倾斜，所述主体适于安装在处理装置的转轴上，使得所述主体的所述中心轴与所述转轴同轴。

2. 根据权利要求1所述晶片载体，其中所述主体限定与所述中心轴同轴的圆柱形外周面，且所述唇表面与所述外周面在尖角边缘连接。

3. 根据权利要求1所述的晶片载体，其中所述主体限定与所述中心轴同轴的圆柱形外周面，且所述唇表面与所述外周面在圆角边缘连接。

4. 根据权利要求1所述的晶片载体，其中所述唇表面限定相对于所述晶片载体的所述顶面恒定的倾斜角度。

5. 根据权利要求1所述的晶片载体，其中所述唇表面限定相对于所述晶片载体的所述顶面倾斜的角度，所述倾斜的角度作为相对于所述中心轴径向距离的函数而变化。

6.根据权利要求1所述的晶片载体，其中所述唇表面与所述顶面在至所述中心轴的径向距离与所述容纳部至所述中心轴的最大径向长度相等的位置相交。

7.根据权利要求1所述的晶片载体，其中所述唇表面与所述顶面在至所述中心轴的径向距离小于所述容纳部至所述中心轴的最大径向长度的位置相交。

8.根据权利要求1所述的晶片载体，所述唇部的高度为约1mm或更小。

9.根据权利要求1所述的晶片载体，所述唇部的高度为约0.6mm。

10.根据权利要求1所述的晶片载体，所述主体限定与所述中心轴同轴的圆柱形外周面，所述外周面包括从所述唇表面和所述外周面之间的接合边以向下的方向，径向向内朝着所述中心轴凹入的凹面。

11.晶片载体，包括主体，所述主体限定中心轴、垂直于所述中心轴且基本为平面的顶面、低于所述顶面凹陷以容纳晶片的容纳部，所述主体具有与所述中心轴同轴的圆柱形外周面，所述圆柱形外周面与所述顶面在尖角边缘相交，所述主体适于安装在处理装置的转轴上，使得所述主体的所述中心轴与所述转轴同轴。

12.根据权利要求11所述的晶片载体，其中所述外周面包括从所述顶面和所述外周面之间的接合边以向下的方向，径向向内朝着中心轴凹入的凹面。

13. 处理装置，包括：

(a)反应室；

(b)在所述室内向上及向下延伸的转轴； 

(c)如权利要求1所述的晶片载体安装至所述转轴上，所述转轴的中心轴与所述转轴同轴；

(d)流体入口元件，与所述反应室在所述晶片载体上方连通，所述流体入口元件构造并设置为向下朝着所述晶片载体引导一种或多种气体；及

(e)排气系统，与所述反应室在所述晶片载体下方连通。

14.一种处理晶片的方法，包括当晶片位于如权利要求13所述处理装置的晶片载体的容纳部内时，和绕中心轴旋转转轴和晶片载体时，以及通过排气系统排除气体时，向下引导气体至所述晶片载体上的步骤。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括加热所述晶片载体和晶片。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述气体反应以在所述晶片的暴露表面上形成沉积。

17. 根据权利要求14所述的方法，其中在高于所述晶片载体所述顶面的高处和靠近所述晶片载体外周的流动，基本没有再循环。