[发明专利]半导体故障解析装置及故障解析方法有效

专利信息
申请号: 201180021063.X 申请日: 2011-02-21
公开(公告)号: CN102859675A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 竹嶋智亲 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;G01N25/72;G06T1/00
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 故障 解析 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体故障解析装置,其特征在于,

所述半导体故障解析装置是使用半导体器件的发热像而进行故障解析的半导体故障解析装置,且包括:

电压施加单元,其对成为解析对象的半导体器件施加偏压电压;

摄像单元,其取得上述半导体器件的图像;及

图像处理单元,其对通过上述摄像单元所取得的图像进行上述半导体器件的故障解析所必要的图像处理;

上述摄像单元取得分别包含在对上述半导体器件施加有上述偏压电压的状态下的发热像的多个解析图像、及在未施加上述偏压电压的状态下的多个背景图像,并且

上述图像处理单元包括:

摄像位置算出单元,其针对上述多个解析图像及上述多个背景图像的各个而算出其摄像位置;

图像分类单元,其对于上述多个解析图像及上述多个背景图像各自中的上述摄像位置,准备参照上述摄像位置的位置频度分布而设定的区域分割单位,根据上述摄像位置属于按上述区域分割单位所分割的N个区域的哪个区域,而将上述多个解析图像及上述多个背景图像分类为N个图像群,其中,N为2以上的整数;及

差分图像生成单元,其对经分类的上述N个图像群个别生成用于故障解析的上述解析图像与上述背景图像的差分图像。

2.如权利要求1所述的半导体故障解析装置,其特征在于,

上述图像分类单元求出上述多个解析图像及上述多个背景图像各自中的上述摄像位置的上述位置频度分布,并且根据上述多个解析图像的上述位置频度分布下的平均位置μ1及分布宽度w1、以及上述多个背景图像的上述位置频度分布下的平均位置μ2及分布宽度w2,从而设定上述区域分割单位。

3.如权利要求2所述的半导体故障解析装置,其特征在于,

上述图像分类单元是设定用以调整上述区域分割单位的调整系数α,并且求出针对上述多个解析图像的区域单位μ1±α×w1、以及针对上述多个背景图像的区域单位μ2±α×w2,而将这些区域单位的共通范围作为上述区域分割单位而设定。

4.如权利要求3所述的半导体故障解析装置,其特征在于,

上述图像分类单元根据由操作者输入的系数值而设定上述调整系数α。

5.如权利要求3或4所述的半导体故障解析装置,其特征在于,

上述图像分类单元分别根据标准偏差σ而求出上述多个解析图像的上述位置频度分布下的上述分布宽度w1、以及上述多个背景图像的上述位置频度分布下的上述分布宽度w2,并且在满足条件1≤α≤2的范围内设定上述调整系数α。

6.如权利要求1~5中任一项所述的半导体故障解析装置,其特征在于,

上述差分图像生成单元是对于针对上述N个图像群的各个而求出的N个上述差分图像,进行基于属于各个图像群的图像数的加权,由此生成用于故障解析的差分图像。

7.如权利要求1~6中任一项所述的半导体故障解析装置,其特征在于,

上述差分图像生成单元是对于针对上述N个图像群的各个而求出的N个上述差分图像,根据属于各个图像群的图像数而选择用于故障解析的差分图像。

8.如权利要求1~5中任一项所述的半导体故障解析装置,其特征在于,

上述差分图像生成单元构成为能够切换第1解析模式与第2解析模式,上述第1解析模式是对于针对上述N个图像群的各个而求出的N个上述差分图像,进行基于属于各个图像群的图像数的加权,由此生成用于故障解析的差分图像;上述第2解析模式是对于针对上述N个图像群的各个而求出的N个上述差分图像,根据属于各个图像群的图像数而选择用于故障解析的差分图像。

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