[发明专利]直列式基板处理装置无效
申请号: | 201180021270.5 | 申请日: | 2011-04-25 |
公开(公告)号: | CN102859722A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 金秀雄;李庆镐;郑淳彬 | 申请(专利权)人: | 泰拉半导体株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直列式基板 处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种直列式基板处理装置,更具体地说,能够提高等离子体处理工艺生产率的直列式基板处理装置。
背景技术
如石油或煤炭这样的现有化石能源资源逐步枯竭,而随着对环境关注度的提高,作为能够解决这些问题的替代能源,具有无限制/无公害的太阳能电池的相关技术备受瞩目。
能够将吸收的光转换成电能的太阳能电池,大致分为大容量型(单晶(single crystalline)、多晶(poly crystalline))太阳能电池、薄膜型(非晶(amorphous)、多晶(poly crystalline))太阳能电池、CdTe或CIS(CuInSe2)等化合物薄膜太阳能电池、Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池、染料敏化太阳能电池和有机太阳能电池等。
另一方面,目前广泛使用的大部分太阳能电池,使用硅作为光吸收层的材料,在这种情况下,为了提高太阳能电池的光电转换效应,提出了对硅进行氢等离子体处理而将硅原子的悬空键(dangling bond)进行钝化处理的方法。
为了用氢等离子体处理硅,需要将硅加热至规定温度以上。为此,以往利用设置在进行等离子体工艺的腔室外部或内部的加热器来加热硅,然而,最近为了尽可能节约加热硅所消耗的时间,利用集群(cluster)方式加热硅。
集群方式是,具有多个腔室,而将等离子体处理工艺划分为多个工艺,然后在每个腔室进行各工艺的方法。
发明内容
技术问题
说明用于以往的集群方式的等离子体装置。图1是示出用于以往的集群方式的等离子体装置的示意图。
参照图1,集群方式通过如下步骤实现,以圆形配置多个腔室42,之后利用位于中央的基板移送部40,将基板加载或卸载于每个腔室42。
然而,根据这种以往的集群方式,不仅构筑上述设备时需要很多费用,而且位于中央的基板移送部40移送基板时消耗不必要的时间,因此生产率有所下降。
为了解决这些问题,提出了在一个腔室内同时对多个硅进行氢等离子体处理的批处理式等离子体处理方式。然而,根据该批处理式等离子体处理方式,虽然能够同时对多个硅进行氢等离子体处理,具有提高生产率的优点,但是,无法对多个硅进行相对均匀的氢等离子体处理。
解决问题的方法
本发明是为了解决如上所述的以往技术的所有问题而提出,其目的在于,提供一种能够提高等离子体处理工艺生产率的直列(Inline)式基板处理装置。
另外,本发明的目的在于,提供一种能够对多个基板进行均匀的等离子体处理的直列式基板处理装置。
另外,本发明的目的在于,提供一种能够使由于多个等离子体电极之间的相互作用所导致的电磁场相互抵消最小化的直列式基板处理装置。
另外,本发明的目的在于,提供一种能够有效防止硅层的氢向外扩散的直列式基板处理装置。
发明的效果
根据本发明,由于腔室依次配置成一列,所以在利用集群方式的情况下,能够使移送基板所需的时间最小化。因此,能够提高对基板的等离子体处理工艺的生产率。
另外,根据本发明,进行相同工艺的腔室垂直配置成一列,从而能够对多个基板进行均匀的等离子体处理。
另外,根据本发明,等离子体电极以弯折的形式构成,从而能够使多个等离子体电极之间的相互作用所导致的电磁场相互抵消最小化。
另外,根据本发明,能够有效防止硅层的氢向外扩散。
实现发明的最优方式
为了达成所述目的,本发明涉及的直列式基板处理装置,其特征在于,包括:第一腔室,预热基板;第二腔室,从所述第一腔室接收经预热的所述基板,在进行加热的同时进行等离子体处理;以及第三腔室,从所述第二腔室接收经等离子体处理的所述基板,进行冷却的同时进行等离子体处理;所述第一腔室、所述第二腔室及所述第三腔室依次连接成一列。
附图说明
图1是示出用于以往的集群方式的等离子体装置的示意图。
图2是示出本发明的一实施例涉及的直列式基板处理装置的构成图。
图3是示出本发明的一实施例涉及的配置有第一等离子体电极的第二腔室的构成图。
图4是概略示出在本发明的一实施例涉及的第一等离子体电极上流动射频信号的状态图。
图5是示出本发明的另一实施例涉及的直列式基板处理装置的构成图。
图6是示出本发明的另一实施例涉及的配置有第一等离子体电极的第二腔室单元的构成图。
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