[发明专利]磁控管用端帽及其制造方法以及磁控管有效
申请号: | 201180021361.9 | 申请日: | 2011-04-27 |
公开(公告)号: | CN102859632A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 森冈勉;青山齐 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
主分类号: | H01J23/04 | 分类号: | H01J23/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 周欣;陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 管用 及其 制造 方法 以及 磁控管 | ||
技术领域
本发明涉及磁控管用端帽(end hat)及其制造方法以及使用了其的磁控管,尤其涉及端帽与钎料接合的可靠度高、还可提高制造成品率和制造效率的磁控管用端帽及其制造方法以及使用了其的磁控管。
背景技术
作为用于微波炉等的磁控管的阴极部,如图1所示,已知有如下阴极部:其主要由发射热电子的线圈状细丝1、在该线圈状细丝1的上端和下端分别介由Mo-Ru钎料2接合的由Mo形成的上部端帽3和下部端帽4、连接固定于上部端帽3的中心引线5、和连接于下部端帽4的边引线6构成。
为了使磁控管正常工作,各结构部件需要恰当地接合。为此需要介由钎料将端帽与细丝及引线牢固地钎焊。尤其由于磁控管用阴极部的端帽与钎料的接合成为制造工序中最初的接合工序,因此该接合需要足够牢固。
一直以来在Mo端帽与Mo-Ru钎料的接合中采用了各种方法。例如,在日本专利第3295838号公报(专利文献1)中,公开了在由Mo烧结体形成的端帽处载置Mo-Ru钎料的预烧结体或烧结体、并通过压缩将端帽与钎料无间隙地接合的方法。
然而,在上述的接合方法中由于不易调节压缩力,因此容易在Mo制端帽中产生破裂、缺损,存在磁控管的制造成品率变差的难点。尤其由于端帽为在凹状形状的内侧接合钎料的结构,因此压缩力的负荷易于成为破裂缺损的原因。
另一方面,在日本专利第3718321号公报(专利文献2)中,公开了将Mo-Ru钎料的烧结体与Mo制端帽激光焊接的内容。在该情况下,由于不对端帽施加压缩力,因此消除了破裂缺损的问题。然而,由于为了使用激光焊接而当然地需要激光焊接装置,因此在成本上升的方面存在问题。另外,由于需要对端帽逐个进行激光照射,因此磁控管的制造效率不一定称得上好。另外,由于毕竟仅仅在照射到了激光的部位处接合,因此在所谓整体的接合可靠度的方面存在改善的余地。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第3295838号公报
专利文献2:日本专利第3718321号公报
发明内容
发明所要解决的课题
如上所述现有的磁控管用端帽的制造方法的成品率、制造效率不一定得到满足,需要能够进一步提高制造成品率、制造效率高的制造方法。
本发明是鉴于这样的技术课题而进行的,提供端帽与钎料接合的可靠度高、且磁控管的制造成品率和制造效率好的端帽及其制造方法以及磁控管。
用于解决课题的手段
本发明的实施方式中的磁控管用端帽的特征在于,在将由Mo烧结体形成的端帽与Mo-Ru系钎料一体地接合而得到的磁控管用端帽中,在上述端帽与钎料的接合界面处具备钎料中的Ru向由Mo烧结体形成的端帽扩散了5μm以上的扩散区域。
另外,在上述磁控管用端帽中,上述Ru扩散了的扩散区域优选为距接合界面为10~200μm的范围。进而,上述Ru扩散了的区域优选存在于Mo-Ru系钎料的底面部和侧面部。
进而优选具备由密度为9.6~10.0g/cm3的Mo烧结体形成的端帽。
另外,优选的是,上述Mo烧结体的Mo含量为99.9质量%以上,并且作为杂质元素的Al含量为0.005质量%以下、Ca含量为0.003质量%以下、Cr含量为0.005质量%以下、Cu含量为0.002质量%以下、Fe含量为0.03质量%以下、Mg含量为0.002质量%以下、Mn含量为0.002质量%以下、Ni含量为0.008质量%以下、Pb含量为0.002质量%以下、Si含量为0.005质量%以下、Sn含量为0.002质量%以下、碳含量为0.01质量%以下。
另外,在上述磁控管用端帽中,上述Mo-Ru系钎料的Ru含量优选为35~50质量%。另外,上述Mo-Ru系钎料优选含有0.05质量%以下的碳、0.009质量%以下的Fe、0.007质量%以下的Ni作为杂质元素。
另外,本发明中的磁控管使用如上所述地构成的磁控管用端帽来形成。
另外,本发明中的磁控管用端帽的制造方法的特征在于,其具备下述工序:压制成型工序,使用纯度为99.9质量%以上的Mo粉来压制成型成端帽形状的Mo成型体;第一烧成工序,将上述Mo成型体在含氢气氛中烧成而得到第一烧成体;钎料配置工序,将环状Mo-Ru系钎料载置于上述第一烧成体上;第二烧成工序,将配置有上述钎料的第一烧成体在含氢气氛中烧成而得到第二烧成体。
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