[发明专利]模拟电可擦(EEE)存储器及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201180021441.4 申请日: 2011-04-04
公开(公告)号: CN102870099A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: R·S·斯古勒;F·K·小贝克;V·常德瑞塞卡兰 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F13/16
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 金晓
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 模拟 电可擦 eee 存储器 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种在具有模拟存储器以及控制装置的系统中执行的方法,所述模拟存储器具有多个存储信息的扇区,所述方法包括:

计算所使用的地址数目除以所述模拟存储器的预定地址范围内的有效记录的数目以形成分数;

计算所述模拟存储器的当前使用空间的没有被用于存储信息的剩余地址数量;

确定所计算的分数是否大于第一预定数值并且确定所述剩余地址的数量是否大于第二预定数值;以及

如果所述分数大于所述第一预定数值并且所述剩余地址的数量大于所述第二预定数值,使用所述模拟存储器的当前使用空间响应任何后续的更新请求,否则确定需要压缩所述模拟存储器并且将有效数据复制到所述模拟存储器的可用扇区。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括:

实施所述模拟存储器的所述多个扇区为两个扇区,所述两个扇区中的第一扇区是所述模拟存储器的当前使用空间,并且所述两个扇区中的第二扇区是空的存储空间,其中所述模拟存储器的当前使用空间具有已使用的地址空间的第一部分和剩余地址的第二部分。

3.根据权利要求1所述的方法,还包括:

以多个扇区实施所述模拟存储器的所述多个扇区,所述模拟存储器的第一部分具有没有保持数据的多个扇区,所述模拟存储器的所述多个扇区中的一个或多个被指定为所述模拟存储器的当前使用空间,其中一部分所述当前使用空间是没有被用于存储信息的剩余地址数量。

4.根据权利要求1所述的方法,还包括:

确定所述第一预定数值为如下的数值,所述数值是在所述模拟存储器的所述当前使用空间内当前没有存储信息的剩余有效地址的数量的函数。

5.根据权利要求1所述的方法,还包括:

确定所述第二预定数值为计算的所述分数的函数的数值。

6.根据权利要求1所述的方法,还包括:

响应于请求更新所述模拟存储器内的记录,计算所使用的地址的数目除以有效记录的数目以及计算剩余地址的数量。

7.根据权利要求1所述的方法,其中所述压缩还包括擦除所述多个扇区中的最老的充满扇区并且将有效信息复制到擦除之后的所述最老的充满扇区。

8.一种系统,包括:

模拟存储器,具有多个用于连续地存储信息的扇区;以及

存储器控制器,耦合到所述模拟存储器,所述存储器控制器计算所使用的地址数目除以所述模拟存储器的预定地址范围内的有效记录的数目以形成分数,计算所述模拟存储器的当前使用空间的没有被用于存储信息的的剩余地址数量,并且确定所计算的分数百分比是否大于第一预定数值并且确定所述剩余地址的数量是否大于第二预定数值,其中如果所述分数百分比大于所述第一预定数值并且所述剩余地址的数量大于所述第二预定数值,所述存储器控制器使用所述模拟存储器的当前使用空间响应任何后续的更新请求,否则确定需要压缩所述模拟存储器并且将有效数据复制到所述模拟存储器的可用扇区。

9.根据权利要求8所述的系统,其中所述模拟存储器进一步包括两个扇区,所述两个扇区中的第一扇区是所述模拟存储器的当前使用空间,并且所述两个扇区中的第二扇区是空的存储空间,其中所述模拟存储器的当前使用空间具有已使用的地址空间的第一部分和剩余地址的第二部分。

10.根据权利要求8所述的系统,其中所述模拟存储器还包括多个扇区,所述模拟存储器的第一部分具有没有保持数据的多个扇区,所述模拟存储器的所述多个扇区中的一个或多个被指定为所述模拟存储器的当前使用空间,其中一部分所述当前使用空间是没有被用于存储信息的剩余地址数量。

11.根据权利要求8所述的系统,其中所述存储器控制器确定所述第一预定数值为如下的数值,所述数值是在所述模拟存储器的所述当前使用空间内当前没有存储信息的剩余有效地址的数量的函数。

12.根据权利要求8所述的系统,其中所述存储器控制器确定所述第二预定数值为所述分数百分比的函数的数值。

13.根据权利要求8所述的系统,其中所述存储器控制器响应于请求更新所述模拟存储器内的记录进行所述计算。

14.根据权利要求8所述的系统,其中所述存储器控制器通过擦除所述多个扇区中的最老的充满扇区并且将有效信息复制到擦除之后的所述最老的充满扇区来执行所述压缩。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司,未经飞思卡尔半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180021441.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top