[发明专利]有机半导体材料和电子构件有效
申请号: | 201180021516.9 | 申请日: | 2011-04-27 |
公开(公告)号: | CN102892859A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 安斯加尔·维尔纳;萨沙·多罗克;卡斯滕·罗特;迈克尔·菲利斯特;沃尔克·利舍夫斯基;米尔科·曲纳耶夫 | 申请(专利权)人: | 诺瓦莱德公开股份有限公司;森西特图像技术有限公司 |
主分类号: | C09K11/06 | 分类号: | C09K11/06;C07C13/04;H01L51/00;H05B33/14 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李楠;安翔 |
地址: | 德国德*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 半导体材料 电子 构件 | ||
1.包括至少一种基质材料和至少一种掺杂材料的有机半导体材料,其特征在于,所述掺杂材料选自式(1)的化合物
式(1)
其中,R1独立地选自芳基和杂芳基,其中,芳基和杂芳基以至少一种贫电子的取代基优选完全加以取代,
并且,所述基质材料选自式(2)的化合物
式(2)
其中,R1至R18各自独立地选自H和烷基、优选为C1-C9烷基,其中,烷基能是分支链的或不分支链的。
2.根据权利要求1所述的有机半导体材料,其特征在于,所述掺杂材料被置入到所述基质材料中。
3.根据权利要求1所述的有机半导体材料,其特征在于,所述掺杂材料和所述基质材料形成两个处在碰触式接触中的层。
4.根据权利要求1所述的有机半导体材料,其特征在于,所述掺杂材料和所述基质材料优选呈经掺杂的半导体层的形式地彼此相混合。
5.根据前述权利要求之一所述的有机半导体材料,其特征在于,所述掺杂材料选自如下材料:
2,2',2-(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(全氟苯基)-乙腈);
2,2',2-(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(全氟吡啶-4-基)-乙腈);
2,2',2-(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(4-氰基全氟苯基)-乙腈);
2,2',2-(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(2,3,5,6-四氟-4-(三氟甲基)苯基)-乙腈);
(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(2,6-二氯-3,5-二氟-4-(三氟甲基)苯基)-乙腈)。
6.包括根据前述权利要求之一所述的有机半导体材料的有机构件。
7.根据权利要求6所述的有机构件,其特征在于,所述有机构件是发光构件。
8.根据权利要求6所述的有机构件,其特征在于,所述有机构件是有机太阳能电池。
9.根据权利要求8所述的有机构件,其特征在于,所述有机构件的阴极相比所述有机构件的阳极更靠近所述有机构件的基板。
10.根据权利要求9所述的有机构件,其特征在于,所述阴极是透明的,并且所述基板和/或阳极是起反射作用的。
11.包括至少一种基质材料和至少一种掺杂材料的、用于制造经掺杂的半导体层的混合物,其特征在于,所述掺杂材料选自式(1)的化合物
式(1)
其中,R1独立地选自芳基和杂芳基,其中,芳基和杂芳基以至少一种贫电子的取代基优选完全加以取代,
并且,所述基质材料选自式(2)的化合物
其中,R1至R18各自独立地选自H和烷基、优选C1-C9烷基,其中,烷基能是分支链的或不分支链的。
12.根据权利要求11所述的混合物,其中,所述基质材料是N4,N4,N4″,N4″-四([1,1'-联苯]-4-基)-[1,1':4',1″-三联苯]-4,4″-二胺。
13.根据权利要求11或12所述混合物,其中,所述掺杂材料选自如下材料:
2,2',2-(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(全氟苯基)-乙腈);
2,2',2-(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(全氟吡啶-4-基)-乙腈);
2,2',2-(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(4-氰基全氟苯基)-乙腈);
2,2',2-(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(2,3,5,6-四氟-4-(三氟甲基)苯基)-乙腈);
(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(2,6-二氯-3,5-二氟-4-(三氟甲基)苯基)-乙腈)。
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