[发明专利]Mo/Si多层的等离子体辅助沉积

权利要求书

1.一种利用等离子体离子辅助沉积在基片表面上沉积Mo/Si薄膜的方法，所述方法具有以下步骤：

提供真空室，并在所述室内：

提供要在其上沉积涂层的基片；

提供Mo涂层材料源和Si涂层材料源，利用电子束依次使所述Mo材料和所述Si材料气化，提供涂层材料蒸气流，所述涂层材料蒸气流中的每种蒸气流从所述材料源通过反掩模，到达所述基片；

从等离子体源提供等离子体离子；

以选定的旋转频率f旋转所述基片；以及

在所述基片上依次沉积一层所述Mo涂层材料和一层所述Si涂层材料，形成一个Mo/Si涂层周期，并且至少在沉积所述材料期间和之后，用等离子体离子轰击所述涂层中的每个涂层以及所述周期，使每层变得致密和平滑；以及

多次重复所述沉积步骤，在所述基片上形成具有多个周期的Mo/Si涂层；

其中在所述Mo和Si涂层材料源中的每个涂层材料源之间提供侧面防护罩，防止污染所述等离子体源，并且在沉积Mo层和Si层之前，用来自等离子体源的等离子体使基片表面变得致密和平滑。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述涂层由40-100个Mo/Si周期组成。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，一个周期中的每个Mo层和Si层沉积至规定的厚度，每个沉积层的厚度变化控制在±0.01nm或更小，以防发生光谱偏移。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述旋转速度f在10-30rpm的范围内。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，每个周期中每个Mo层和Si层的沉积速率在0.02-0.04nm/s的范围内。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在施涂Mo和Si层之前，用来自等离子体源的等离子体对基片表面进行致密化处理和平滑处理，时间在>0至10分钟的范围内。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在沉积Mo和Si层之前，用来自等离子体源的等离子体对基片表面进行致密化处理和平滑处理，时间在1-5分钟的范围内。

8.一种适合在10-15nm范围内工作的EUV光刻镜子，所述镜子包含：

适用于EUV光刻的选定的基片，所述基片具有经过等离子体致密化处理和平滑处理的表面；

经过致密化处理和平滑处理的基片表面上的涂层，所述涂层由40-100个涂层周期组成，每个涂层周期由具有2-5nm范围内的规定厚度的Mo层和具有2-5nm范围内的规定厚度的Si层组成，沉积厚度是规定厚度±0.1nm，其中Mo层是每个周期的第一层，Si层是每个周期的第二层。

9.如权利要求8所述的镜子，其特征在于，所述基片选自下组：熔凝二氧化硅玻璃、二氧化硅-氧化钛玻璃、Zerodur和Zerodur K20。