[发明专利]氮化物半导体元件的制造方法、氮化物半导体发光元件及发光装置

权利要求书

1.一种氮化物半导体元件（100）的制造方法，其特征在于，具有：在基板（1）上形成至少含有铝、氮、氧的AlNO缓冲层（2）的工序；

在所述AlNO缓冲层（2）上形成氮化物半导体层（3，4，5，6，7，8）的工序；

在形成所述AlNO缓冲层（2）的工序中，所述AlNO缓冲层（2）在连续导入氮气和氧气并排放气体的环境气氛中通过将铝作为靶材（26）的反应溅射法而形成；

所述环境气氛为所述氧气流量相对所述氮气流量与所述氧气流量的总和之比为0.5%以下的环境气氛。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体元件（100）的制造方法，其特征在于，在形成所述AlNO缓冲层（2）的工序中，所述AlNO缓冲层（2）形成为所述AlNO缓冲层（2）的氧浓度为1原子%以上、10原子%以下。

3.如权利要求1所述的氮化物半导体元件（100）的制造方法，其特征在于，在形成所述AlNO缓冲层（2）的工序中，所述AlNO缓冲层2形成为所述AlNO缓冲层（2）的氧浓度在所述AlNO缓冲层（2）中均匀。

4.如权利要求1所述的氮化物半导体元件（100）的制造方法，其特征在于，在形成所述AlNO缓冲层（2）的工序中，所述AlNO缓冲层2形成为所述AlNO缓冲层（2）相对于波长为450nm的光的折射率为2以上、2.1以下。

5.如权利要求1所述的氮化物半导体元件（100）的制造方法，其特征在于，在形成所述AlNO缓冲层（2）的工序中，所述AlNO缓冲层2形成所述AlNO缓冲层（2）的膜厚为5nm以上、100nm以下。

6.如权利要求1所述的氮化物半导体元件（100）的制造方法，其特征在于，在形成所述AlNO缓冲层（2）的工序中，所述AlNO缓冲层2形成为覆盖所述基板（1）的表面的90%以上。

7.如权利要求1所述的氮化物半导体元件（100）的制造方法，其特征在于，在形成所述AlNO缓冲层（2）的工序中，所述AlNO缓冲层2在所述基板（1）的温度为300℃以上、1000℃以下的温度下形成。

8.如权利要求1所述的氮化物半导体元件（100）的制造方法，其特征在于，在形成所述AlNO缓冲层（2）的工序中，所述AlNO缓冲层2在形成之前的环境气氛压力为1×10^-4Pa以下。

9.如权利要求1所述的氮化物半导体元件（100）的制造方法，其特征在于，进而在形成所述AlNO缓冲层（2）的工序之前还包括在溅射装置的腔体内进行虚拟放电的工序。

10.如权利要求1所述的氮化物半导体元件（100）的制造方法，其特征在于，在形成所述AlNO缓冲层（2）的工序中，所述AlNO缓冲层2在0.2Pa以上的环境气氛压力下形成。

11.如权利要求1所述的氮化物半导体元件（100）的制造方法，其特征在于，在形成所述AlNO缓冲层（2）的工序中，所述AlNO缓冲层2以0.01nm/秒以上、1nm/秒以下的形成速度而形成。

12.如权利要求1所述的氮化物半导体元件（100）的制造方法，其特征在于，所述基板（1）包括蓝宝石基板；

所述氮化物半导体层（3，4，5，6，7，8）包括：n型氮化物半导体层（4，5）、氮化物半导体活性层（6）、p型氮化物半导体层（7，8）。

13.如权利要求1所述的氮化物半导体元件（100）的制造方法，其特征在于，在形成所述AlNO缓冲层（2）的工序中，所述反应溅射法通过在以100mm以上、250mm以下的距离所配置的所述基板（1）与所述靶材（26）之间以DC-连续方式施加电压而进行的DC磁控溅射法而进行。

14.如权利要求1所述的氮化物半导体元件（100）的制造方法，其特征在于，在形成所述AlNO缓冲层（2）的工序中，所述靶材（26）相对于所述基板（1）的表面倾斜而配置。

15.一种氮化物半导体发光元件（100），其特征在于，其通过权利要求1所述的氮化物半导体元件（100）的制造方法而制造。

16.一种发光装置（200），其特征在于，包括权利要求15所述的氮化物半导体发光元件（100）。