[发明专利]无机中介片上的贯通封装过孔（TPV）结构及其加工方法

权利要求书

1.一种微电子封装，其包括：

在一具有一顶部的玻璃中介片中的复数个具有壁的贯通过孔；

在该玻璃中介片的该顶部的至少一个部分上的一应力缓解壁垒；

在该应力缓解壁垒的至少一部分上的一金属化种子层；以及

在该金属化种子层的至少一部分上并且贯通该复数个贯通过孔中的至少一部分的一导体以形成复数个经金属化的贯通封装过孔，其中，这些贯通过孔中的至少一部分被该应力缓解壁垒或该金属化种子层填充。

2.根据权利要求1的微电子封装，其中，该应力缓解壁垒包括一聚合物膜。

3.根据权利要求2的微电子封装，其中，该聚合物膜包括一薄型干膜积压电介质。

4.根据权利要求2的微电子封装，其中，该聚合物膜被沉积为一干膜、液态覆膜，或蒸汽相沉积薄膜。

5.根据权利要求1的微电子封装，其中，该应力缓解壁垒的热膨胀系数介于该玻璃中介片与该导体的热膨胀系数之间。

6.根据权利要求1的微电子封装，其中，该应力缓解壁垒位于该玻璃中介片的一底部的至少一部分上。

7.根据权利要求1的微电子封装，其中，该应力缓解壁垒位于该玻璃中介片中的贯通过孔的壁的至少一部分上。

8.根据权利要求1的微电子封装，其中，该应力缓解壁垒和该金属化种子层包括相同的材料。

9.根据权利要求8的微电子封装，其中，该应力缓解壁垒和该金属化种子层选自的组由钯、镍、镍合金以及铜合金组成。

10.根据权利要求1的微电子封装，其中，贯通过孔的没有被应力缓解壁垒或该金属化种子层填充的剩余部分的至少一部分被填充剂所填充。

11.根据权利要求10的微电子封装，其中，该填充剂选自的组包括空气、一聚合物、一金属合金、以及它们的组合。

12.根据权利要求1的微电子封装，其中，该导体形成至少一个互锁结构。

13.一种微电子封装，其包括：

位于一玻璃中介片的一上表面的至少一部分上的一聚合物，其中，该聚合物以及

该玻璃中介片的至少一部分被移除以形成一贯通过孔；

位于该层压层的至少一部分上的一金属化种子层；以及，

其中，该贯通过孔的至少一部分被一形成一金属化层的金属导体填充，其中，该金属化层的一部分被选择性的移除以形成一经金属化的贯通封装过孔。

14.根据权利要求13的微电子封装，还包括该聚合物位于该中介片的一下表面的至少一部分上。

15.根据权利要求13的微电子封装，还包括该金属化层位于该侧壁的至少一部分上。

16.根据权利要求13的微电子封装，其中，该聚合物包括树脂涂覆的铜。

17.根据权利要求13的微电子封装，其中，该电介质层包括一顺从积压电介质层。

18.一种用于在玻璃中介片中制造贯通封装过孔的方法，其包括：

在一玻璃中介片的一上表面的至少一部分上层压一聚合物；

移除该聚合物及该玻璃中介片的至少一部分以形成一贯通过孔；

用一金属导体填充该贯通过孔的至少一部分以形成一金属化层；以及，

选择性的移除该金属化层的一部分以形成一经金属化的贯通封装过孔。

19.根据权利要求18的方法，其进一步包括在用一金属导体填充该封装过孔的至少一部分之前在该层压层的至少一部分上沉积一金属化种子层。

20.根据权利要求18的方法，其进一步包括在该中介片的一下表面的至少一部分上层压该聚合物。

21.根据权利要求20的方法，其中，将该聚合物层压在该上表面的至少一部分上的步骤与将该聚合物层压在该下表面的步骤至少一部分上是同时进行的。

22.根据权利要求18的方法，其进一步包括在侧壁的至少一部分上沉积该金属化层。

23.根据权利要求18的方法，其中，用一金属导体填充该贯通过孔的至少一部分以形成一金属化层的步骤进一步包括闭合该贯通过孔的一顶部。