[发明专利]衬底处理的方法和用于所述方法的处理组成物

权利要求书

1.一种处理衬底的方法，其包括：

用硫酸和高卤酸的混合物与所述衬底接触15分钟或少于15分钟，所述混合物温度在110℃到145℃的范围内。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述高卤酸为高碘酸（H₅IO₆）。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，根据H₅IO₆和H₂SO₄计算，所述硫酸在50-99.5wt.%的范围内，且高卤酸在上述混合物中在0.1-10wt.%的范围内。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，根据H₅IO₆和H₂SO₄计算，所述硫酸在70-99.5wt.%的范围内，且高卤酸在上述混合物中在0.2-2wt.%的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底是在用于单晶片湿法处理的装置中的半导体晶片。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述半导体晶片包括注入了离子的光致抗蚀剂。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述半导体晶片包括注入了砷离子的光致抗蚀剂。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述半导体晶片包括注入了硼离子的光致抗蚀剂。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底与所述硫酸和高卤酸的混合物接触十分钟或少于十分钟。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底与所述硫酸和高卤酸的混合物接触四分钟或少于四分钟。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，水浓度为0.5至高达2wt.%。

12.一种用于处理衬底的组成物，其包括：

硫酸和高卤酸的稳定混合物，其中，所述混合物的温度在110℃到145℃的范围内。

13.根据权利要求12所述的组成物，其中，所述高卤酸是45-65wt.%过碘酸的水溶液（根据H₅IO₆算得）。

14.根据权利要求12所述的组成物，其中，所述硫酸和高卤酸以1/100到1/5的相对比例存在于所述混合物中，该相对比例以高卤酸与硫酸的重量与重量的比表示，根据H₅IO₆和H₂SO₄算得。

15.根据权利要求14所述的组成物，其中，所述硫酸和高卤酸以1/10的相对比例存在于上述混合物中，该相对比例以高卤酸与硫酸的重量与重量的比表示，根据H₅IO₆和H₂SO₄算得。