[发明专利]具有不连续的半导体部分的微电子装置及制作这种装置的方法

权利要求书

1.一种微电子装置（100），包括：

多个不连续的半导体部分（104），具有相似的尺寸L_SC、W_SC以及相似的形状，所述半导体部分彼此电隔离并且形成半导体层（102），每个半导体部分（104）与相邻的半导体部分（104）的间距为基本上恒定的距离E_SCH、E_SCV并且具有细长形状，每个半导体部分的最大尺寸L_SC与其他半导体部分（104）的最大尺寸L_SC大致平行，

至少两个电极（108a、108b、108c、108d），所述电极设置成与半导体层（102）接触，使得分隔所述两个电极（108a、108b、108c、108d）的最大距离L_通道小于其中一个所述半导体部分（104）的最大尺寸L_SC，

其中，设置所述半导体部分（104）的形状和尺寸L_SC、W_SC，所述半导体部分（104）之间的间距E_SCH、E_SCV，所述电极（108a、108b、108c、108d）的形状和尺寸L_SD、W_SD以及所述电极（108a、108b、108c、108d）相对于所述半导体部分（104）的布局，使得至少一个所述半导体部分（104）将所述两个电极（108a、108b、108c、108d）彼此电连接，

并且其中，所述半导体部分（104）的最大尺寸L_SC大致垂直于所述电极（108a、108b、108c、108d）的最大尺寸W_SD，所述电极（108a、108b、108c、108d）具有相似的形状和尺寸W_SD、L_SD。

2.根据权利要求1所述的装置（100），其中，每个所述半导体部分（104）具有大致矩形的形状。

3.根据前述权利要求中任一项所述的装置（100），其中，所述半导体部分（104）布置在与所述半导体层（102）的主面平行的平面内，所述电极（108a、108b、108c、108d）设置成与所述半导体层接触，形成具有平行行的规则图案。

4.根据权利要求3所述的装置（100），其中，一行上的所述半导体部分（104）之间的间距E_SCH相对于相邻行的所述半导体部分（104）之间的间距并沿着与各行平行的方向偏移距离D，该距离大约等于所述半导体部分（104）的最大尺寸L_SC除以n，其中，n为大于1的实数。

5.根据权利要求4所述的装置（100），其中，所述半导体部分（104）的最大尺寸L_SC大致等于分隔所述两个电极（108a、108b、108c、108d）的最大距离L_通道的n倍，和/或其中，所述电极（108a、108b、108c、108d）的最大尺寸W_SD大于所述半导体部分（104）的最小尺寸W_SC的大约n倍。

6.根据前述权利要求中任一项所述的装置（100），包括至少一个晶体管（106a、106b），所述晶体管的有源区（114a、114b）由所述至少一个半导体部分（104）构成，所述半导体部分将所述两个电极（108a、108b、108c、108d）彼此电连接，所述电极（108a、108b、108c、108d）形成所述晶体管（106a、106b）的源电极和漏电极。