[发明专利]掺杂的共轭聚合物和装置

权利要求书

1.一种组合物，其包含以下各者的反应产物：

(i)至少一种共轭聚合物，其中所述共轭聚合物包含至少一种在3-位或4-位或这两个位置上含有烷氧基取代基的聚噻吩；和

(ii)至少一种用于聚合物(i)的掺杂物，其包含离子化合物，其中所述离子化合物的阳离子是V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt或Au；并且所述离子化合物的阴离子由以下结构中的至少一个表示：

其中，R₁至R₁₀中的每一个独立地为H、烷基、全氟烷基（C1-C10）、聚醚、F、Cl、Br、I、CN、任选地取代的苯基或任选地取代的萘基；A为硼、镓、磷、锑、SO3或CO2；X为F、Cl、Br、I或CN；n为0至6；并且m≤6-n；

其中所述组合物还任选地包含与(i)不同的至少一种基质材料。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述阴离子由以下结构中的至少一个表示：

其中，R₁至R₉中的每一个独立地为H、烷基、全氟烷基（C1-C10）、聚醚、F、Cl、Br、I、CN、任选地取代的苯基或任选地取代的萘基；A为硼、镓、磷或锑；并且n为1至6。

3.根据权利要求1所述的组合物，其中A为硼、镓、磷或锑。

4.根据权利要求1所述的组合物，其中A为硼。

5.根据权利要求1所述的组合物，其中R₁至R₁₀是氟。

6.根据权利要求1所述的组合物，其中所述阴离子是四(卤代苯基)硼酸根。

7.根据权利要求1所述的组合物，其中所述阳离子是Au、Mo、Re、Fe或Ag。

8.根据权利要求1所述的组合物，其中所述阳离子是银。

9.根据权利要求1所述的组合物，其中所述掺杂物是四(五氟苯基)硼酸银。

10.根据权利要求1所述的组合物，其中所述烷氧基取代基在3-位。

11.根据权利要求1所述的组合物，其中所述烷氧基取代基在4-位。

12.根据权利要求1所述的组合物，其中所述烷氧基取代基在3-位和4-位。

13.根据权利要求1所述的组合物，其中所述共轭聚合物是区域规则性聚噻吩。

14.根据权利要求1所述的组合物，其中所述烷氧基基团包含一个、两个、三个、四个或五个氧原子。

15.根据权利要求1所述的组合物，其中存在所述基质材料。

16.根据权利要求1所述的组合物，其中存在所述基质材料并且所述基质材料包含至少一种合成有机聚合物。

17.根据权利要求1所述的组合物，其中所述反应产物是约40重量%至75重量%的共轭聚合物与约25重量%至55重量%的掺杂物的产物。

18.根据权利要求1所述的组合物，其中所述组合物呈固体粉末形式或者溶解或分散于油墨溶剂载体中。

19.根据权利要求1所述的组合物，其中所述组合物基本上不含零价金属。

20.根据权利要求1所述的组合物，其中所述组合物溶解或分散于油墨溶剂载体中而无需诱发反应的热处理或光处理。

21.一种组合物，其包含以下各者的反应产物：(i)至少一种空穴传输材料，和(ii)至少一种四(卤代芳基)硼酸银掺杂物。

22.根据权利要求21所述的组合物，其中所述四(卤代芳基)硼酸银掺杂物是四(五氟苯基)硼酸银掺杂物。

23.根据权利要求21所述的组合物，其中所述空穴传输材料是聚合物。