[发明专利]具有容量提高的颗粒状超吸收性聚合物有效
申请号: | 201180023007.X | 申请日: | 2011-04-29 |
公开(公告)号: | CN102906135A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 田公路;D·L·小伯格曼;史亚茹 | 申请(专利权)人: | 赢创斯托豪森有限责任公司 |
主分类号: | C08F230/08 | 分类号: | C08F230/08;C08F220/06;A61F13/15 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 彭立兵;林柏楠 |
地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 容量 提高 颗粒状 吸收性 聚合物 | ||
1.一种包含选自烯属不饱和羧酸、烯属不饱和羧酸酸酐、其盐或衍生物的聚合的单体,和包含共价交联试剂的内部交联剂组合物的颗粒状超吸收性聚合物,其中该颗粒状超吸收性聚合物具有的离心保留容量提高如本文中离心保留容量提高试验所述为2g/g或更多。
2.权利要求1的颗粒状超吸收性聚合物,其中内部交联组合物包含含有至少一个碳-碳双键和至少一个Si-O键的硅烷化合物。
3.根据前述权利要求任一项的颗粒状超吸收性聚合物,其中内部交联组合物包含含有直接连接到硅原子上的至少一个乙烯基基团或一个烯丙基基团和至少一个Si-O键的硅烷化合物。
4.根据前述权利要求任一项的颗粒状超吸收性聚合物,其中所述硅烷化合物选自以下化合物的一种:
其中
R1表示C2-C3烯基,
R2表示H、C1-C4烷基、C2-C5烯基、C6-C8芳基、C2-C5羰基,
R3表示H、C1-C4烷基、C6-C8芳基,
R4和R5独立地表示H、C1-C4烷基、C6-C8芳基,
m表示1-2的整数,
n表示2-3的整数,
l表示0-1的整数,
m+n+l=4,
x表示大于1的整数,和
y表示0或大于0的整数。
5.根据权利要求2-4的颗粒状超吸收性聚合物,其中所述硅烷化合物选自乙烯基三异丙烯氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、二乙氧基甲基乙烯基硅烷和含有至少两个乙烯基基团的聚硅氧烷。
6.根据前述权利要求任一项的颗粒状超吸收性聚合物,其进一步包含第二内部交联剂。
7.根据前述权利要求任一项的颗粒状超吸收性聚合物,其具有的离心保留容量提高为2g/g-50g/g。
8.根据前述权利要求任一项的颗粒状超吸收性聚合物,其中聚合的单体具有的中和度为至少50mol%。
9.根据前述权利要求任一项的颗粒状超吸收性聚合物,其具有的离心保留容量提高速率如本文中离心保留容量提高速率试验所述为0.4g/g/hr-10g/g/hr。
10.根据前述权利要求任一项的颗粒状超吸收性聚合物,其具有在体温下测量的离心保留容量(CRC(bt))和在室温下测量的离心保留容量(CRC(rt)),其中CRC(bt)和CRC(rt)具有相同的测试时间并且CRC(bt)比CRC(rt)高2g/g-20g/g。
11.一种超吸收性聚合物,其包含选自烯属不饱和羧酸、烯属不饱和羧酸酸酐、其盐或衍生物的单体,和包含含有硅烷化合物的内部交联剂组合物,所述硅烷化合物含有直接连接到硅原子上的至少一个乙烯基基团或烯丙基基团和至少一个Si-O键。
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