[发明专利]聚合物驻极体薄膜的拓扑和电纳米构造方法和所获得的聚合物驻极体薄膜

权利要求书

1.一种聚合物驻极体薄膜（6）的构造方法，所述聚合物驻极体薄膜具有自由表面和相反的表面，所述自由表面即被处理表面（5），所述相反的表面即后表面（7），其中：

-在第一步骤中，使模具（2）的表面、即构造表面（4）与所述聚合物驻极体薄膜（6）的被处理平表面（5）的至少一部分接触，所述构造表面包括浮凸纳米图案、即构造图案，并且由导体或半导体材料形成，

-在第二步骤中，通过在T₁时间段期间使构造表面（4）在所述聚合物驻极体薄膜（6）的所述被处理表面（5）上施加压力，在所述聚合物驻极体薄膜（6）中形成纳米图案，所形成的所述纳米图案具有顶部和底部，

其特征在于：

-在第三步骤中，在聚合物驻极体薄膜（6）中形成所述纳米图案之后一段时间段T₂期间，在模具的所述构造表面（4）和所述聚合物驻极体薄膜（6）的所述后表面（7）之间施加电压，所述时间段适于在所形成图案的顶部和底部之间感应出静电荷差异分布，并且

-在第四步骤中，停止施加电压并且将模具（2）从所述聚合物驻极体薄膜（6）的表面上撤去。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚合物驻极体薄膜（6）被布置在基体（8）上。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基体（8）由导体或半导体材料形成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述聚合物驻极体薄膜（6）由选自热塑性聚合物材料和热固性聚合物材料的材料形成。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于：

-所述聚合物驻极体薄膜（6）由热塑性聚合物材料形成，

-在第二步骤中，在膜（6）已经处于高于所述热塑性聚合物材料的玻璃态转变温度的温度之后，使构造表面（4）在所述聚合物驻极体薄膜（6）的被处理表面（5）上施加压力。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，在第二步骤中由模具的所述构造表面（4）施加在所述聚合物驻极体薄膜（6）的被处理表面（5）上的压力为5N至5000N，尤其为500N至2000N。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述聚合物驻极体薄膜（6）的厚度小于5mm，尤其小于1mm，特别是小于500nm，并且尤其特别是小于150nm。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述模具（2）由在导体材料和半导体材料中选择的材料形成。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述模具（2）可以由在硅、N型掺杂硅、P型掺杂硅及其混合物中选择的材料形成，所述N型掺杂硅例如为磷掺杂硅，所述P型掺杂硅例如为硼掺杂硅。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，所述模具的构造图案的高度为10nm至990nm，尤其为50nm至300nm，至少一个侧向尺寸为5nm至500μm，尤其是10nm至50μm，特别是3μm至10μm。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其特征在于，在第三步骤中，在模具的构造表面（4）和聚合物驻极体薄膜（6）的后表面（7）之间施加的非零电压为-200V至+200V，尤其为-100V至+100V，特别是-50V至+50V，尤其特别是绝对值大约为25V。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其特征在于，在第三步骤中，在一段预先确定的1秒至1小时的时间段T₂期间施加所述电压。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其特征在于，使在第四步骤结束时获得的所述聚合物驻极体薄膜（6）与微观物体和/或纳米物体接触。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述微观物体和/或纳米物体带有电荷或可以电极化。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其特征在于，将在第四步骤结束时获得的所述聚合物驻极体薄膜（6）浸入纳米颗粒的胶体溶液中。