[发明专利]半导体装置、有源矩阵基板以及显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

设于基板上的栅极电极；

半导体层，其设于上述栅极电极的上方，包含源极区域、漏极区域以及沟道区域；

源极电极，其在上述半导体层的上方连接到上述源极区域；以及

漏极电极，其在上述半导体层的上方连接到上述漏极区域，

上述半导体层在与上述漏极电极重叠的部分具有沿着从上述漏极电极引出的漏极配线延伸的方向向外侧突出的凸部，

上述半导体层在被上述漏极电极和上述源极电极夹着的上述沟道区域的外侧具有上述半导体层的周缘位于比上述栅极电极的周缘靠内侧的调整部。

2.一种半导体装置，具备：

设于基板上的栅极电极；

半导体层，其设于上述栅极电极的上方，包含源极区域、漏极区域以及沟道区域；

源极电极，其在上述半导体层的上方连接到上述源极区域；以及

漏极电极，其在上述半导体层的上方连接到上述漏极区域，

上述半导体层在与上述源极电极重叠的部分具有沿着从上述源极电极引出的源极配线延伸的方向向外侧突出的凸部，

上述半导体层在被上述漏极电极和上述源极电极夹着的上述沟道区域的外侧具有上述半导体层的周缘位于比上述栅极电极的周缘靠内侧的调整部。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

上述半导体层在与上述源极电极重叠的部分还具有沿着从上述源极电极引出的源极配线延伸的方向向外侧突出的凸部。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，

在从上述源极电极引出的源极配线或者从上述栅极电极引出的栅极配线与其他配线交叉的部分，在上述其他配线与上述源极配线或者上述栅极配线之间还设有半导体层，

该半导体层具有沿着上述源极配线或者上述栅极配线延伸的方向突出的凸部。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体装置，

上述源极电极或者上述漏极电极在与上述半导体层的上述凸部重叠的部分比上述源极配线或者上述漏极配线宽。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的半导体装置，

上述栅极电极具有在被上述源极电极和上述漏极电极夹着的区域的外侧延伸、且比上述半导体层向外侧突出的部分。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体装置，

在上述半导体层，上述凸部和上述调整部连续。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的半导体装置，

上述源极电极和上述漏极电极中的任一方具有线状部分，另一方以从线的两侧包围上述线状部分的方式相对配置。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的半导体装置，

在上述栅极电极的上方隔着上述半导体层设有多个上述漏极电极或者源极电极中的任一方，从多个上述漏极电极或者源极电极分别引出漏极配线或者源极配线。

10.一种有源矩阵基板，具备权利要求1～9中的任一项所述的半导体装置。

11.一种显示装置，具备权利要求1～9中的任一项所述的半导体装置。