[发明专利]多层结构透明导电膜及其制备方法

权利要求书

1.一种透明导电膜，所述透明导电膜以顺序层叠形式包括折射率为n1的基底、折射率为n2的第一涂层、折射率为n3的第二涂层和折射率为n4的导电氧化物层，其中，所述各层的折射率符合n1≤n3<n2<n4。

2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述基底为具有透明性的聚酯树脂、纤维素酯树脂、聚醚砜树脂、聚碳酸酯树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂、（甲基）丙烯酸类树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯醇树脂、聚丙烯酸酯树脂或聚苯硫醚树脂。

3.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述基底的折射率为1.4-1.7。

4.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述基底的厚度为2-200μm。

5.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一涂层为有机材料、无机材料或有机-无机复合材料。

6.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一涂层的折射率为1.5-2.0。

7.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一涂层的厚度为10-1,000nm。

8.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二涂层为有机材料、无机材料或有机-无机复合材料。

9.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二涂层的折射率为1.4-1.9。

10.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二涂层的厚度为10-500nm。

11.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述导电氧化物层为ITO或掺杂元素M的氧化锌薄膜（ZnO:M），其中，所述M为第13族或氧化态为+3的过渡金属中的元素。

12.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述导电氧化物层的厚度为5-200nm。

13.根据权利要求1所述的透明导电膜，所述透明导电膜进一步在所述基底的另一方向侧上顺序地包括透明压敏粘合剂和第二基底，其中，在该侧上顺序形成有第一涂层、第二涂层和导电氧化物层。

14.根据权利要求13所述的透明导电膜，所述透明导电膜至少在所述第二基底的一侧上进一步包括选自防污涂层、硬涂层、低反射涂层和减反射涂层中的一层或多层功能层。

15.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述膜的总透光率为88%以上并且色感（b*）为2以下。

16.一种包括根据权利要求1-15中任一项所述的透明导电膜的触摸屏。

17.一种制备透明导电膜的方法，该方法包括顺序层叠折射率为n1的基底、折射率为n2的第一涂层、折射率为n3的第二涂层和折射率为n4的导电氧化物层的步骤，其中，所述各层的折射率符合n1≤n3<n2<n4。