[发明专利]针对低成本通孔的选择性图案化

说明书

技术领域

本发明大体涉及集成电路。更具体来说，本发明涉及制造集成电路。

背景技术

半导体装置中使用的硅衬底与其它材料相比具有高成本。举例来说，在玻璃衬底上建置无源装置将产生较低成本组件。堆叠在例如玻璃衬底等衬底上的装置利用通孔来与其它组件连通。玻璃衬底和通孔的一个潜在应用是液晶显示器。在衬底中使用各向异性或各向同性蚀刻来制造通孔。

各向异性蚀刻沿着不同方向以不同速率发生且产生穿过衬底的大体直线的侧壁。各向异性蚀刻包含等离子体蚀刻、激光钻孔和机械钻孔。各向异性蚀刻是减小制造工艺的产量的缓慢工艺。各向同性蚀刻在衬底的每一方向上大体相等地蚀刻材料。各向同性蚀刻包含湿式蚀刻和气体蚀刻。各向同性蚀刻与各向异性蚀刻相比成本较低且产量较高，但由于所有方向上的蚀刻引起的底部切割可能导致衬底上的金属线短路。在图1A-C中说明用于使用各向同性蚀刻制造通孔的常规工艺。

参看图1A，金属线104沉积在玻璃衬底102上。各向同性蚀刻在图1B中所示的玻璃衬底102中形成通孔106。通过各向同性蚀刻对通孔106的底部切割暴露多条金属线104。参看图1C，通孔金属108沉积在通孔106内部。通孔金属108接触多条金属线104，从而导致金属线104短路和所制造的装置发生故障。

因此，需要一种使用各向同性蚀刻在不使衬底上的金属线短路的情况下在衬底中制造通孔的工艺。

发明内容

根据本发明的一个方面，一种制造通孔的方法包含在衬底的第一侧上图案化阻挡层。所述方法还包含暴露阻挡层中的开口。所述方法进一步包含在阻挡层上沉积第一导电材料。所述方法还包含在衬底的与第一侧相对的第二侧上制造通孔。所述方法进一步包含在通孔中沉积第二导电材料以经由所述开口接触第一导电材料。

根据本发明的另一方面，一种集成电路包含衬底。所述集成电路还包含在衬底的第一侧上具有开口的阻挡层。所述集成电路进一步包含在衬底的第二侧上延伸穿过衬底的通孔。所述集成电路还包含在阻挡层上延伸到开口中的第一导电层。所述集成电路进一步包含在通孔上经由阻挡层中的开口与第一导电层耦合的第二导电层。

根据本发明的又一方面，一种制造集成电路的方法包含在衬底的第一侧上图案化阻挡层以形成开口的步骤。所述方法还包含在阻挡层上沉积第一导电材料的步骤。所述方法进一步包含在衬底的与第一侧相对的第二侧上制造通孔的步骤。所述方法还包含在通孔中沉积第二导电材料以经由所述开口接触第一导电材料的步骤。

根据本发明的再一方面，一种集成电路包含衬底。所述集成电路还包含用于防止衬底的第一侧上具有开口的金属线短路的装置。所述集成电路进一步包含在衬底的第二侧上延伸穿过衬底的通孔。所述集成电路还包含在所述防止装置上延伸到开口中的第一导电层。所述集成电路进一步包含在通孔上与第一导电层耦合的第二导电层。

上文已相当广泛地概述本发明的特征和技术优点以便可较好地理解以下详细描述。下文将描述形成本发明的权利要求书的主题的额外特征和优点。所属领域的技术人员应了解，所揭示的概念和特定实施例可容易地用作用于修改或设计用于实行本发明的相同目的的其它结构的基础。所属领域的技术人员还应认识到，此类等效构造并不脱离在所附权利要求书中所阐述的本发明的技术。当结合附图进行考虑时，将从以下描述更好地理解据信为本发明的特性的新颖特征(均关于其组织和操作方法)连同另外的目标和优点。然而，应明确地理解，仅出于说明和描述的目的而提供各图中的每一者，且其不希望作为对本发明的限制的界定。

附图说明

为更完整地理解本发明，现参考结合附图作出的以下描述。

图1A-C是说明衬底中通孔的常规制造的横截面图。

图2是说明根据一个实施例的通孔的示范性制造工艺的流程图。

图3A-E是说明根据一个实施例的通孔的示范性制造工艺的横截面图。

图4是展示其中可有利地采用本发明的实施例的示范性无线通信系统的框图。

图5是说明根据一个实施例的用于半导体组件的电路、布局和逻辑设计的设计工作站的框图。

具体实施方式