[发明专利]透明导电性碳膜的制造方法及透明导电性碳膜

权利要求书

1.一种透明导电性碳膜的制造方法，该方法包括：

将基体材料温度设定为500℃以下，将压力设定为50Pa以下，并且在向含碳气体或由含碳气体和惰性气体构成的混合气体中作为添加气体加入了用于抑制基体材料表面氧化的氧化抑制剂的气体气氛中，利用微波表面波等离子体法使透明导电性碳膜堆积在所述基体材料表面上。

2.一种透明导电性碳膜的制造方法，该方法具备：

准备卷在第一辊上的基体材料的工序；

从所述辊中抽出基体材料并导入到微波表面波等离子体CVD装置中的工序；

在该微波表面波等离子体CVD装置中，将基体材料温度设定为500℃以下，将压力设定为50Pa以下，并且在向含碳气体或由含碳气体和惰性气体构成的混合气体中作为添加气体加入了用于抑制基体材料表面氧化的氧化抑制剂的气体气氛中，使透明导电性碳膜堆积在所述基体材料表面上的工序；

将堆积有所述透明导电性碳膜的基体材料从微波表面波等离子体CVD装置中排出的工序；以及

将所排出的堆积有所述透明导电性碳膜的基体材料卷绕在第二辊上的工序。

3.根据权利要求2所述的透明导电性碳膜的制造方法，其中，还具备从堆积有所述透明导电性碳膜的基体材料中除去该碳膜的工序。

4.根据权利要求2所述的透明导电性碳膜的制造方法，其中，还具备将堆积有所述透明导电性碳膜的基体材料转印到其它基体材料上的工序。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的透明导电性碳膜的制造方法，其中，所述添加气体为氢气，并且所述含碳气体或所述混合气体中的含碳气体浓度为30~100摩尔％，该氢气的添加量相对于所述含碳气体或所述混合气体为1~20摩尔%。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的透明导电性碳膜的制造方法，其中，所述基体材料为铜或铝的薄膜。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的透明导电性碳膜的制造方法，其中，堆积多层所述透明导电性碳膜。

8.一种透明导电性碳膜，其是使用权利要求1~7中任一项所述的透明导电性碳膜的制造方法制作的透明导电性碳膜，其中，在使用了波长514.5nm的激发光的拉曼散射分光光谱中，该透明导电性碳膜显示出2D带(2709±30cm^-1)左右对称的轮廓。