[发明专利]在塑料底材结构上的碳纳米管(CNT)聚合物基质的选择性蚀刻有效

专利信息
申请号: 201180024130.3 申请日: 2011-04-26
公开(公告)号: CN102893421A 公开(公告)日: 2013-01-23
发明(设计)人: W·斯托库姆;A·梅热尔;I·科勒 申请(专利权)人: 默克专利股份有限公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/44
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 邓毅
地址: 德国达*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 塑料 结构 纳米 cnt 聚合物 基质 选择性 蚀刻
【权利要求书】:

1.用于选择性蚀刻在塑料底材结构上的包含碳纳米管(CNT)的聚合物基质的方法,其包含:

a)将基于碱的蚀刻糊剂印刷到包含具有碳纳米管的聚合物基质以及塑料基底的复合材料的表面上,

b)加热,并且

c)清洁所述基底。

2.根据权利要求1所述的方法,包含在步骤a)中印刷蚀刻糊剂,其中所述蚀刻剂选自四甲基铵氢氧化物、四丙基铵氢氧化物和四乙基铵氢氧化物或者选自NaOH和KOH。

3.权利要求1所述的方法,使用包含溶剂的蚀刻糊剂,所述溶剂选自水,单或多元醇例如甘油、1,2-丙二醇、1,4-丁二醇、1,3-丁二醇、1,5-戊二醇、2-乙基-1-己烯醇、乙二醇、二乙二醇和二丙二醇,及其醚例如乙二醇单丁醚、三乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚,以及酯例如[2,2-丁氧基(乙氧基)]乙基乙酸酯,碳酸的酯例如碳酸亚丙酯,酮例如苯乙酮、甲基-2-己酮、2-辛酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮和1-甲基-2-吡咯烷酮,以其原样或以混合物的形式,其量为基于介质总量计的10-90wt%、优选15-85wt%。

4.权利要求1所述的方法,使用蚀刻糊剂,其中所述溶剂是1,4-丁二醇。

5.权利要求1所述的方法,使用包含有机或者无机的填料颗粒或其混合物的蚀刻糊剂,基于蚀刻介质的总量计所述有机或者无机的填料颗粒或其混合物的量为0.5-25wt%。

6.权利要求1所述的方法,使用包含选自聚苯乙烯、聚丙烯酸系化合物、聚酰胺、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸酯、三聚氰胺、尿烷、苯并胍胺和酚醛树脂、有机硅树脂、微粉化的纤维素、氟化聚合物(尤其是PTFE、PVDF)和微粉化的蜡的有机聚合物颗粒作为填料和增稠剂的蚀刻糊剂。

7.权利要求1所述的方法,使用包含选自铝氧化物、氟化钙、氧化硼和氯化钠的无机颗粒作为填料和增稠剂的蚀刻糊剂。

8.权利要求1所述的方法,其中通过丝网印刷、喷墨、分配或者微喷射将所述蚀刻糊剂施加到所述表面上。

9.根据权利要求1-8的一项或多项所述的方法,特征在于所述基底的加热在20-170℃范围的温度下持续10s至15min、优选30s至7min。

10.根据权利要求1-8的一项或多项所述的方法,特征在于所述基底的加热在130℃下持续5分钟。

11.根据权利要求9或10所述的方法,特征在于将经处理的基底用去离子水或者用溶剂冲洗;和用干燥空气或者氮气流干燥经冲洗的部分。

12.根据前述权利要求1-11的一项或多项所述的方法,其中所述塑料是聚氨酯、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)或者PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)。

13.根据前述权利要求1-11的一项或多项所述的方法,其中包埋入导电聚合物层中的CNT(碳纳米管)是单壁碳纳米管(SWNT)、多壁碳纳米管(MWNT)、富勒烯(C60)或者石墨烯。

14.根据前述权利要求1-11的一项或多项所述的方法,其中所述导电聚合物选自聚(3-辛基噻吩)(P3OT)、聚(3-己基-噻吩)聚合物(P3HT)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)或者其它聚噻吩衍生物以及聚苯胺,或者是聚合物的组合如聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛基氧基)1,4-亚苯基亚乙烯基](MDMO-PPV)/1-(3-甲氧基羰基)-丙基-1-苯基)[6,6]C61(PCBM)、聚(3-己基-噻吩)聚合物(P3HT)/(PCBM)和聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)。

15.根据权利要求1-14的一项或多项所述的方法,其中印刷的线、点或者结构的分辨率为至少500μm。

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