[发明专利]在靶的背面具有沟的磁性材料溅射靶有效

专利信息
申请号: 201180024211.3 申请日: 2011-06-09
公开(公告)号: CN103080369A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 佐藤敦 申请(专利权)人: 吉坤日矿日石金属株式会社
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王海川;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 背面 具有 磁性材料 溅射
【权利要求书】:

1.一种磁性材料溅射靶,其为厚度1~10mm的圆板状磁性材料溅射靶,其特征在于,

在该靶的背面具有至少一个宽度5~20mm、深度0.1~3.0mm、以该圆板状靶的中心为中心的圆沟,各沟的间隔为10mm以上,并且在所述沟中填入有热导率为20W/m·K以上的非磁性材料。

2.如权利要求1所述的磁性材料溅射靶,其特征在于,

所述沟的截面形状为U型、V型或凹型。

3.如权利要求1或2所述的磁性材料溅射靶,其特征在于,

所述沟中填入的非磁性材料为Ti、Cu、In、Al、Ag、Zn的单独金属或者以它们为主成分的合金。

4.如权利要求1至3中任一项所述的磁性材料溅射靶,其特征在于,

靶的饱和磁化密度大于2000G(高斯),并且最大导磁率μmax大于10。

5.如权利要求1至4中任一项所述的磁性材料溅射靶,其特征在于,

磁性材料靶包含选自Co、Fe、Ni或Gd的一种以上元素或者以它们为主成分的合金的强磁性材料。

6.一种磁性材料溅射靶,其特征在于,

其为在权利要求5所述的强磁性材料中分散有选自氧化物、碳化物、氮化物、碳氮化物和碳的一种以上非磁性材料的烧结体靶。

7.如权利要求5或6所述的磁性材料溅射靶,其特征在于,

含有0.5原子%以上且50原子%以下的选自Cr、B、Pt、Ru、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Mo、Ta、W和Si的一种以上元素。

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