[发明专利]光电子半导体芯片及其制造方法

权利要求书

1.具有半导体层堆叠（2）和辐射出射面或辐射入射面（3）的光电子半导体芯片（10），其中

- 半导体层堆叠（2）具有活性层（2a），该活性层适于生成或者接收电磁辐射，并且

-在半导体层堆叠（2）中和/或在辐射出射面或辐射入射面（3）上布置多个纳米结构（4），所述纳米结构至少部分地具有至少一个子结构（41,42）。

2.根据权利要求1的光电子半导体芯片，其中所述至少一个子结构（41,42）是空隙（42）或突起（41）。

3.根据前述权利要求之一的光电子半导体芯片，其中纳米结构（3）以周期性的模式布置。

4.根据前述权利要求之一的光电子半导体芯片，其中纳米结构（3）分别具有最高5μm的横向伸展。

5.根据前述权利要求之一的光电子半导体芯片，其中纳米结构（3）具有多个子结构（41、42），这些子结构具有不同的大小和/或形状。

6.根据前述权利要求之一的光电子半导体芯片，其中至少一个子结构（41、42）是纳米结构表面上的或者纳米结构内的空隙（42）、凹陷、孔、沟槽、开口或者突起（41）。

7.根据前述权利要求之一的光电子半导体芯片，其中纳米结构（3）是三维结构。

8.根据权利要求7的光电子半导体芯片，其中纳米结构（3）构造为锥形的或者杆形的。

9.根据前述权利要求之一的光电子半导体芯片，其中纳米结构（3）构造为锥形的并且分别具有多个不同大小地构造的子结构（41、42）。

10.根据前述权利要求之一的光电子半导体芯片，其中活性层（2a）布置在纳米结构（4）与辐射出射面或辐射入射面（3）之间或者布置在纳米结构（4）中。

11.根据前述权利要求之一的光电子半导体芯片，其中纳米结构（4）以规则的模式布置在辐射出射面或辐射入射面（3）上，构造为锥形的，并且分别具有至少一个子结构（41、42），所述子结构是空隙并且布置在锥的中心。

12.用于制造光电子半导体芯片（10）的方法，具有以下方法步骤：

- 构造具有活性层（2a）的半导体层堆叠（2），所述活性层适于生成或者接收电磁辐射，

- 在半导体层堆叠（2）上或者在半导体层堆叠（2）中构造纳米结构（3），和

- 至少部分地在纳米结构（3）中构造至少一个子结构（41、42）。

13.根据权利要求12的方法，其中通过所述子结构（41、42）增大纳米结构（3）的表面。

14.根据前述权利要求12或13之一的方法，其中纳米结构（3）借助于金属有机气相外延、分子束外延或者液相外延来制造。

15.根据前述权利要求12至14之一的方法，其中在上面生长半导体层堆叠（2）的生长衬底至少部分地或者完全地被剥落。