[发明专利]纳米颗粒抗反射层有效
申请号: | 201180024566.2 | 申请日: | 2011-04-06 |
公开(公告)号: | CN103081111A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | R·德瓦勒;M·何宾克;A·波尔曼 | 申请(专利权)人: | 荷兰能源研究中心基金会 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;G02B1/11 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈季壮 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 颗粒 反射层 | ||
1.供光学元件或光电器件使用的薄膜宽带抗反射层,它包括:
至少一层薄膜介电层;
置于所述薄膜介电层之上或其内的至少一个阵列的纳米颗粒,其中所述纳米颗粒的介电常数显著不同于所述介电层的介电常数。
2.权利要求1的抗反射层,其中所述薄膜介电层包括二氧化硅,氮化硅,原硅酸四乙酯(TEOS),有机树脂,聚合物,半导体和/或其结合。
3.权利要求1或2的抗反射层,其中所述薄膜电介质的厚度大约在10和300nm之间,优选在50和100nm之间。
4.权利要求1-3任一项的抗反射层,其中选择所述纳米颗粒的平均尺寸在大约100和300nm,和其中选择所述颗粒之间的平均距离在200和700nm之间。
5.权利要求1-4任一项的抗反射层,其中所述纳米颗粒的至少一部分是金属纳米颗粒,优选所述金属选自Au,Ag,Cu,Al和/或其合金。
6.权利要求1-4任一项的抗反射层,其中所述纳米颗粒的至少一部分是半导纳米颗粒,优选所述半导材料选自第IV族的半导体,III-V或II-VI半导化合物和/或其结合。
7.权利要求1-4任一项的抗反射层,其中所述纳米颗粒的至少一部分是金属氧化物纳米颗粒,优选选自Al2O3,Ta2O5,Ti3O5,TiO2,ZiO2,Nb2O5,CeO2和Si3N4中的高折射指数氧化物。
8.权利要求1-7任一项的抗反射层,其中所述纳米颗粒的至少一部分具有基本上球体的形状。
9.多层结构,它包括至少一层权利要求1-7任一项的抗反射层。
10.光学元件,优选光学透镜或显示器屏幕,它包括权利要求1-8任一项的抗反射层。
11.光电器件,优选光接收或发光器件,它包括权利要求1-8任一项的抗反射层。
12.光电器件,其中所述抗反射层沉积在薄膜光吸收或发光层上。
13.一阵列的电介质纳米颗粒和/或金属纳米颗粒作为抗反射涂层的至少一部分的用途。
14.权利要求12的用途,其中选择所述纳米颗粒的平均尺寸在约100和300nm之间,和其中选择所述颗粒之间的平均距离在200和700nm之间。
15.权利要求12或13的用途,其中所述纳米颗粒的至少一部分是金属纳米颗粒,优选所述金属选自Au,Ag,Cu,Al和/或其合金;和/或,其中所述纳米颗粒的至少一部分是半导纳米颗粒,优选所述半导材料选自第IV族半导体,III-V或II-VI半导化合物和/或其结合;和/或其中所述纳米颗粒的至少一部分是金属氧化物纳米颗粒,优选选自Ta2O5,Ti3O5,TiO2,ZiO2,Nb2O5,CeO2和Si3N4中的高折射指数的氧化物。
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