[发明专利]生长在松弛层上的III族氮化物发光装置有效
| 申请号： | 201180024730.X | 申请日： | 2011-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102884643A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | A.Y.金;P.N.格里洛特 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘鹏;汪扬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 松弛 iii 氮化物 发光 装置 | ||
1.一种装置，包括：
第一半导体层；
第二半导体层；
第三半导体层；以及
半导体结构，其包括布置在n型区域和p型区域之间的III族氮化物发光层；其中
所述第二半导体层布置在所述第一半导体层与所述第三半导体层之间；
所述第三半导体层布置在所述第二半导体层与所述发光层之间；
所述第一半导体层的面内晶格常数与所述第三半导体层的体晶格常数之间的差不大于1%；
所述第一半导体层的面内晶格常数与所述第二半导体层的体晶格常数之间的差是至少1%；并且
所述第三半导体层是至少部分松弛的。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二半导体层是至少部分松弛的。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第三半导体层在不大于500nm的厚度上松弛。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第三半导体层具有大于3.2?的面内晶格常数。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二半导体层包括铝。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二半导体层包括铝，并且所述第三半导体层包括铟。
7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二半导体层是AlxGayN，其中x>0.3。
8.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二半导体层是AlN，并且所述第三半导体层是InGaN。
9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二半导体层是AlGaN，并且所述第三半导体层是InGaN。
10.根据权利要求1所述的装置，其中所述第三半导体层是n型区域的一部分。
11.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二半导体层具有3.165?或更小的体晶格常数。
12.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二半导体层与所述第三半导体层直接接触。
13.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一半导体层是GaN。
14.一种方法，包括：
生长第一半导体层；
生长第二半导体层；
生长第三半导体层；以及
生长包括布置在n型区域和p型区域之间的III族氮化物发光层的半导体结构；其中
所述第二半导体层布置在所述第一半导体层与所述第三半导体层之间；
所述第三半导体层布置在所述第二半导体层与所述发光层之间；
所述第一半导体层的面内晶格常数与所述第三半导体层的体晶格常数之间的差不大于1%；
所述第一半导体层的面内晶格常数与所述第二半导体层的体晶格常数之间的差是至少1%；并且
所述第三半导体层是至少部分松弛的。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二半导体层具有不同于所述第一半导体层的面内晶格常数。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述第三半导体层具有不同于所述第二半导体层的面内晶格常数。
17.根据权利要求14所述的方法，进一步包括在生长所述半导体结构之后，移除生长衬底。
18.根据权利要求17所述的方法，进一步包括移除所述第一和第二半导体层。
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