[发明专利]半导体基板上的高Q垂直带状电感器有效
| 申请号： | 201180024880.0 | 申请日： | 2011-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102906873A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | D·M·史密斯 | 申请（专利权）人： | 哈里公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 曹瑾 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 基板上 垂直 带状 电感器 | ||
1.一种半导体装置，该半导体装置包括具有相对的第一表面和第二表面的半导体基板；和设置在所述第一表面上的平坦电感器部件，该平坦电感部件包括：
沿曲折路径延伸并且限定多个绕组的独立式电导体，所述电导体具有宽度和高度，其中，高宽（HW）比显著大于1。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括形成在第二表面上的地平面部件。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述HW比大于或等于5。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述HW比大于或等于10。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括形成在所述第一表面上的传输线，并且其中，所述电导体的至少第一端部电耦接至所述传输线。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电导体包括芯体部分，该芯体部分包括第一导电成分，所述芯体部分限定所述电导体的宽度的大部分和高度的大部分。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个绕组包括通过多个连接绕组部分串联连接的多个面对绕组部分。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述面对绕组部分中的大部分的所述高度、所述宽度、间距、以及交叠大致相同。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述面对绕组部分中的大部分的所述高度、所述宽度、间距、以及交叠中的至少一个不同。
10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述多个面对绕组部分大致并行。
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