[发明专利]垂直异质结隧道-FET的制造

权利要求书

1.一种用于制造异质结隧道场效应晶体管（FET）的方法，所述方法包括：

在绝缘体上硅（SOI）衬底的硅层上形成栅极区域；

所述硅层上邻近所述栅极区域形成漏极区域；以及

邻近所述栅极区域形成垂直异质结源极区域，

其中所述垂直异质结源极区域产生符合与所述栅极区域相关的栅极场的隧道路径。

2.根据权利要求1的方法，其中形成所述漏极区域包括用n-型掺杂剂注入所述漏极区域。

3.根据权利要求1或2的方法，其中形成所述垂直异质结源极区域包括蚀刻穿过所述SOI衬底的所述硅层和绝缘层。

4.根据权利要求3的方法，还包括穿过所述绝缘层并在所述SOI衬底的所述硅层和硅衬底层之间蚀刻底切。

5.根据任意前述权利要求的方法，还包括用n-型掺杂剂掺杂所述硅层和所述硅衬底层。

6.根据任意前述权利要求的方法，还包括在所述硅层和所述硅衬底层之间生长源极区域。

7.根据权利要求6的方法，其中所述源极区域是p-型。

8.根据任意前述权利要求的方法，其中所述垂直异质结源极区域包括在第一和第二半导体层之间沉积的源极区域层。

9.根据权利要求8的方法，其中所述源极区域层是p-型并且所述第一和第二半导体层是n-型。

10.根据任意前述权利要求的方法，其中所述漏极区域是n-型。

11.根据权利要求9或10的方法，其中所述p-型源极区域是原位硼掺杂的硅锗。

12.一种场效应晶体管（FET）器件，包括：

绝缘体上硅（SOI）衬底；

设置在所述SOI衬底上的栅极区域；

邻近所述栅极区域的漏极区域；以及

邻近所述栅极区域的垂直异质结源极区域，

其中所述垂直异质结源极区域产生符合与所述栅极区域相关的栅极场的隧道路径。

13.根据权利要求12的器件，其中所述垂直异质结源极区域包括邻近所述栅极区域的源极区域。

14.根据权利要求12或13的器件，其中所述源极区域的一部分设置在所述栅极区域之下。

15.根据权利要求1、2、13或14的器件，还包括设置在所述栅极区域之下的第一和第二半导体层。

16.根据权利要求15的器件，其中设置在所述栅极区域之下的所述源极区域的部分被设置在所述第一和第二半导体层之间。

17.根据权利要求15或16的器件，其中所述源极区域是p-型，并且所述漏极区域和所述第一和第二半导体层是n-型。

18.根据权利要求12到17中任一项的器件，其中所述源极区域是原位硼掺杂的硅锗。

19.根据权利要求12到18中任一项的场效应晶体管（FET）器件：

其中所述绝缘体上硅（SOI）衬底包括硅衬底层、在所述硅衬底层上设置的掩埋氧化物层和在所述掩埋氧化物层上设置的硅层，其中所述硅层的一部分是n-型并被设置在垂直异质结源极区域中；

其中所述栅极区域被设置在所述氧化物层上并以间隔物和硬掩模包封；以及

其中所述漏极区域是n-型以及所述源极区域是p-型并被部分地设置在所述n-型硅层的所述部分之下；以及还包括

n-型硅层，设置在所述p-型源极区域之下。