[发明专利]用于晶体生长的热分解氮化硼容器和使用该容器的半导体晶体生长方法

权利要求书

1.用于晶体生长方法的热分解氮化硼容器，其中，容纳于纵向容器中的原料熔液从所述容器的底部向着所述容器的开口发生固化，所述热分解氮化硼容器包括：

直径恒定部分，所述直径恒定部分的横截面面积基本恒定；和

台阶部分，所述台阶部分被设置在与所述开口分开的预定位置处，并且所述容器的内径或外径在所述台阶部分处发生变化，

其中，当面积与所述直径恒定部分的内横截面面积相同的正圆的直径为D，并且从所述开口到所述台阶部分的上端的距离为x时，满足条件：D≥54mm且x≥5mm。

2.根据权利要求1所述的用于晶体生长的热分解氮化硼容器，其中，当从所述直径恒定部分的下端到所述开口的长度为L时，满足条件：5mm≤x≤L/3或5mm≤x≤D。

3.根据权利要求1或2所述的用于晶体生长的热分解氮化硼容器，其中，当面积与所述容器的、相对于所述台阶部分位于开口侧的内横截面面积相同的正圆的直径为D’时，满足条件：3mm≤(D’-D)。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的用于晶体生长的热分解氮化硼容器，其中，满足条件：D≥79mm。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的用于晶体生长的热分解氮化硼容器，其中，当所述容器的、相对于所述台阶部分位于开口侧的厚度为t2，并且所述容器的、位于所述开口的相反侧的厚度为t1时，所述厚度t1和t2不小于0.3mm，但不大于3mm。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的用于晶体生长的热分解氮化硼容器，其中，当所述用于晶体生长的热分解氮化硼容器的平均比重为ρ时，满足条件：1.88g/cm³≤ρ≤2.08g/cm³。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的用于晶体生长的热分解氮化硼容器，其中，在包括所述热分解氮化硼容器的中心轴线的纵向横截面中，当将所述容器的纵向和径向分别定义为y轴和x轴，并且通过函数f(x)来表示所述台阶部分在所述容器内径侧的形状线时，一阶微分f’(x)满足条件：f’(x)≥0。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的用于晶体生长的热分解氮化硼容器，其中，所述台阶部分的曲率半径R(x)的最小值不小于0.5mm。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的用于晶体生长的热分解氮化硼容器，其中，所述台阶部分中的二阶微分f”(x)满足f”(x)<0的区域中的中点处的曲率半径R1（中）等于或大于二阶微分f”(x)满足f”(x)>0的区域中的中点处的曲率半径R3（中）。

10.一种半导体晶体生长方法，其采用根据权利要求1至9中的任一项所述的用于晶体生长的热分解氮化硼容器。